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参数资料
| 型号： | SM8S26AHE3/2D |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 6600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | SM8S26AHE3/2D |
www.vishay.com
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Document Number: 88387
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Revision: 20-Apr-11
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SM8S10 thru SM8S43A
Vishay General Semiconductor
New Product
Fig. 5 - Typical Transient Thermal Impedance
Fig. 6 - Typical Junction Capacitance
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
t - Pulse Width (s)
100
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
RθJC
RθJA
Tr
a
n
s
ient
Thermal
Impedance
(°C/W)
VWM - Reverse Stand-Off Voltage (V)
100 000
10 000
1000
10
C
J-
Junction
Capacitance
(pF)
40
35
30
25
20
15
45
Measured at Stand-Off
Voltage V
WM
Measured at Zero Bias
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
DO-218AB
Mounting Pad Layout
0.413 (10.5)
0.374 (9.5)
0.091 (2.3)
0.067 (1.7)
0.116 (3.0)
0.093 (2.4)
0.150 (3.8)
0.126 (3.2)
0.366 (9.3)
0.343 (8.7)
0.606 (15.4)
0.583 (14.8)
0.116 (3.0)
0.093 (2.4)
0.628 (16.0)
0.592 (15.0)
0.539 (13.7)
0.524 (13.3)
0.366 (9.3)
0.343 (8.7)
0.406 (10.3)
0.382 (9.7)
0.342 (8.7)
0.327 (8.3)
0.413 (10.5)
0.374 (9.5)
0.028 (0.7)
0.020 (0.5)
0.138 (3.5)
0.098 (2.5)
Lead 1
0.098 (2.5)
0.059 (1.5)
Lead 2/Metal Heatsink
0.197 (5.0)
0.185 (4.7)
0.016 (0.4) MIN.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMA5J8.0C-HE3/5A | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| SMA5J9.0CA-E3/5A | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| SMAJ100-E3/5A | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| SMAJ100A-HE3/61 | 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| SMAJ110-E3/5A | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SM8S26-E3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8W 26V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SM8S26HE3/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8.0W 26V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SM8S26HE3/2E | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8.0W 26V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SM8S28 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Surface Mount PAR Transient Voltage Suppressors |
| SM8S28/2D | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8W 28V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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