参数资料
型号: SMMBD301LT3
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 射频混频器
英文描述: SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB
封装: PLASTIC, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件页数: 2/5页
文件大小: 65K
代理商: SMMBD301LT3
MBD301, MMBD301LT1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Reverse Breakdown Voltage (IR = 10 mA)
V(BR)R
30
V
Total Capacitance (VR = 15 V, f = 1.0 MHz) Figure 1
CT
0.9
1.5
pF
Reverse Leakage (VR = 25 V) Figure 3
IR
13
200
nAdc
Forward Voltage (IF = 1.0 mAdc) Figure 4
VF
0.38
0.45
Vdc
Forward Voltage (IF = 10 mAdc) Figure 4
VF
0.52
0.6
Vdc
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
MBD301
TO92
5000 Units / Bulk
MBD301G
TO92
(PbFree)
5000 Units / Bulk
MMBD301LT1
SOT23
3000 / Tape & Reel
MMBD301LT1G
SOT23
(PbFree)
3000 / Tape & Reel
MMBD301LT3
SOT23
10,000 / Tape & Reel
MMBD301LT3G
SOT23
(PbFree)
10,000 / Tape & Reel
For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
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