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参数资料
| 型号： | SMMBD301LT3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 射频混频器 |
| 英文描述： | SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | SMMBD301LT3 |
MBD301, MMBD301LT1
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. Total Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Minority Carrier Lifetime
IF, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 3. Reverse Leakage
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Forward Voltage
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
,FORW
ARD
CURRENT
(mA)
I F
,REVERSE
LEAKAGE
(
A)
I R
m
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
100
10
0
6.0
12
18
24
10
1.0
0.1
0.01
0.001
010
20
500
0
3.0
6.0
9.0
12
15
21
1.6
30
24
27
18
1.2
0.8
0.4
f = 1.0 MHz
TA = 40°C
TA = 85°C
TA = 25°C
1.0
0.1
30
40
50
60
70
80
100
90
KRAKAUER METHOD
0
2.8
2.4
2.0
30
TA = 100°C
75°C
25°C
,TOT
AL
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
C T
,MINORITY
CARRIER
LIFETIME
(ps)
t
400
300
200
100
SINUSOIDAL
GENERATOR
BALLAST
NETWORK
(PADS)
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
(50 W INPUT)
PADS
CAPACITIVE
CONDUCTION
FORWARD
CONDUCTION
STORAGE
CONDUCTION
DUT
IF(PEAK)
IR(PEAK)
Figure 5. Krakauer Method of Measuring Lifetime
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