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参数资料
| 型号： | SMMBD770T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 127K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 200MA 70V SOT-323 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 10mA |
| 速度： | * |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200nA @ 35V |
| 电容@ Vr, F： | 1pF @ 20V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70-3（SOT323） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MMBD330T1G, SMMBD330T1G, MMBD770T1G, SMMBD770T1G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
?C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Reverse Breakdown Voltage
(IR
= 10
A)
MMBD330T1G, SMMBD330T1G
MMBD770T1G, SMMBD770T1G
V(BR)R
30
70
?
?
?
?
Volts
Diode Capacitance
(VR
= 15 Volts, f = 1.0 MHZ)
MMBD330T1G, SMMBD330T1G
(VR
= 20 Volts, f = 1.0 MHZ)
MMBD770T1G, SMMBD770T1G
CT
?
?
0.9
0.5
1.5
1.0
pF
Reverse Leakage
(VR
= 25 V)
MMBD330T1G, SMMBD330T1G
(VR
= 35 V)
MMBD770T1G, SMMBD770T1G
IR
?
?
13
9.0
200
200
nAdc
Forward Voltage
(IF
= 1.0 mAdc)
MMBD330T1G, SMMBD330T1G
(IF
= 10 mA)
(IF
= 1.0 mAdc)
MMBD770T1G, SMMBD770T1G
(IF
= 10 mA)
VF
?
?
?
?
0.38
0.52
0.42
0.70
0.45
0.60
0.50
1.0
Vdc
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SMMBF4391LT1G | 功能描述:JFET SS JFET NCH 30V TR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| SMMBF4393LT1G | 功能描述:TRANS JFET N-CH 30V SOT-23-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> JFET（结点场效应 系列:- 标准包装:8,000 系列:- 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏极至源极电压(Vdss):30V 漏极电流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 沟道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):- 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id:180mV @ 1µA 输入电容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:200 欧姆 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 封装/外壳:3-XFDFN 供应商设备封装:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
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