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参数资料
| 型号： | SMMBD914LT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 127K |
| 描述： | DIODE SWITCHING HS 100V SOT-23 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 10mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
              MMBD914LT1G, SMMBD914LT1G, MMBD914LT3G, SMMBD914LT3G http://onsemi.com 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ?C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Max Unit OFF CHARACTERISTICS Reverse Breakdown Voltage (IR = 100 Adc) V(BR) 100 ? Vdc Reverse Voltage Leakage Current (VR = 20 Vdc) (VR = 75 Vdc) IR ? ? 25 5.0 nAdc Adc Diode Capacitance (VR = 0, f = 1.0 MHz) CT ? 4.0 pF Forward Voltage (IF = 10 mAdc) VF ? 1.0 Vdc Reverse Recovery Time (IF = I R = 10 mAdc) (Figure 1) trr ? 4.0 ns 1. FR?5 = 1.0 0.75 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 0.3 0.024 in. 99.5% alumina. Notes: 1. A 2.0 k variable resistor adjusted for a Forward Current (I F) of 10 mA. Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak) is equal to 10 mA. Notes: 3. tp ? t rr +10 V 2.0 k 820 0.1 F DUT VR 100 H 0.1 F 50 OUTPUT PULSE GENERATOR 50 INPUT SAMPLING OSCILLOSCOPE tr tp t 10% 90% IF IR trr t iR(REC) = 1.0 mA OUTPUT PULSE (IF = I R = 10 mA; MEASURED at iR(REC) = 1.0 mA) IF INPUT SIGNAL Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit |
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