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参数资料
| 型号： | SMMBD914LT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 127K |
| 描述： | DIODE SWITCHING HS 100V SOT-23 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 10mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
     MMBD914LT1G, SMMBD914LT1G, MMBD914LT3G, SMMBD914LT3G http://onsemi.com 3 Figure 2. Forward Voltage VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS) 1.0 10 100 0.1 Figure 3. Leakage Current VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 10 0.001 0 I 1.0 0.1 0.01 10 20 30 40 50 I 1.0 1.2 0.2 0.4 0.6 0.8 Figure 4. Capacitance VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 0 C 0.68 0.64 0.60 0.52 0.56 2.0 4.0 6.0 8.0 , FORWARD CURRENT (mA) F TA = 85 ?C TA = -40 ?C TA = 25 ?C , REVERSE CURRENT ( A) R , DIODE CAPACITANCE (pF) D TA = 25 ?C TA = 55 ?C TA = 85 ?C TA = 150 ?C TA = 125 ?C |
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PDF描述 |
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