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参数资料
| 型号： | SPB100N08S2L-07 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS功率晶体管 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 309K |
| 代理商： | SPB100N08S2L-07 |
2003-05-09
Page 4
SPP100N08S2-07
SPB100N08S2-07
1 Power dissipation
P
tot
=
f
(
T
C
)
parameter:
V
GS
≥
6 V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
0
40
80
120
160
200
240
W
320
SPP100N08S2-07
P
t
2 Drain current
I
D
=
f
(
T
C
)
parameter:
V
GS
≥
10 V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
A
110
SPP100N08S2-07
I
D
4 Max. transient thermal impedance
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
parameter :
D
=
t
p
/
T
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
s
t
p
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
K/W
SPP100N08S2-07
Z
t
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
3 Safe operating area
I
D
=
f
(
V
DS
)
parameter :
D
= 0 ,
T
C
= 25 °C
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
V
DS
0
10
1
10
2
10
3
10
A
SPP100N08S2-07
I
D
R
D(n
V
D
I
D
1 ms
100 μs
t
p = 15.0μs
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