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参数资料
| 型号： | SPB100N08S2L-07 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS功率晶体管 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 309K |
| 代理商： | SPB100N08S2L-07 |
2003-05-09
Page 5
SPP100N08S2-07
SPB100N08S2-07
5 Typ. output characteristic
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
parameter:
t
p
= 80 μs
0
1
2
3
4
V
6
V
DS
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
A
240
SPP100N08S2-07
P
tot
= 300W
I
D
V
GS [V]
a
a
4.8
b
b
5.0
c
c
5.3
d
d
5.5
e
e
5.8
f
f
6.0
g
g
6.3
h
h
6.5
i
i
10.0
6 Typ. drain-source on resistance
R
DS(on)
=
f
(
I
D
)
parameter:
V
GS
SPP100N08S2-07
0
20
40
60
80
100
120
A
160
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
24
R
D
V
GS
[V] =
e
5.8
e
f
f
6.0
g
g
6.3
h
h
6.5
i
i
10.0
7 Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS(on)max
parameter:
t
p
= 80 μs
0
1
2
3
4
5
V
7
V
GS
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
A
220
I
D
8 Typ. forward transconductance
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
=25°C
parameter:
g
fs
0
20
40
60
80
100
A
140
I
D
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
S
120
g
f
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