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参数资料
| 型号： | SPC563M64L5COAY |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, FLASH, 80 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP144 |
| 封装： | 20 X 20 MM, LEAD FREE, LQFP-144 |
| 文件页数： | 122/140页 |
| 文件大小： | 1310K |
| 代理商： | SPC563M64L5COAY |
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SPC563M64
Electrical characteristics
Doc ID 14642 Rev 6
3.6.1
Regulator example
Figure 6.
Core voltage regulator controller external components preferred configuration
3.6.2
Recommended power transistors
The following NPN transistors are recommended for use with the on-chip voltage regulator
controller: ON SemiconductorTM BCP68T1 or NJD2873 as well as Philips SemiconductorTM
BCP68. The collector of the external transistor is preferably connected to the same voltage
supply source as the output stage of the regulator.
MCU
Mandatory decoupling
capacitor network
VDDREG
VRCCTL
VDD
VSS
4
× 6.8 μF4 × 220 nF
680 nF
15
Ω
10
μF
1.1–5.6
Ω
10
μF
Resistor may or may not be
required. It depends on the
allowable power dissipation
of the npn bypass transistor
device.
Emitter and collector capacitors
(6.8
μF and 10 μF) should be
matched (same type) and ESR
should be lower than 200 m
Ω.
Notes:
1. The VRCCTL capacitor is required.
2. The bypass transistor MUST be operated out of its saturation region.
Table 18.
Recommended operating characteristics
Symbol
Parameter
Value
Unit
hFE (β)
DC current gain (Beta)
60 – 550
—
PD
Absolute minimum power dissipation
>1.0
(1.5 preferred)
W
ICMaxDC
Minimum peak collector current
1.0
A
VCESAT
Collector-to-emitter saturation voltage
> 200(1)
1.
Adjust resistor at bipolar transistor collector for 3.3 V/5.0 V to avoid VCE < VCESAT
mV
VBE
Base-to-emitter voltage
>0.7
V
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