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参数资料
| 型号： | SPI11N60S5 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| 中文描述： | 酷马鞍山⑩功率晶体管 |
| 文件页数： | 13/14页 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | SPI11N60S5 |
2001-07-05
Page 13
SPP11N60C3, SPB11N60C3
SPI11N60C3
Preliminary data
P-TO262-3-1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPB11N60C2 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| SPP11N60CFD | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| SPP11N60S5 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| SPB11N60S5 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| SPB11N60S5 | OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶体管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SPI11N60S5BKSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 |
| SPI11N60S5HKSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
| SPI11N60S5IN | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| SPI11N60S5XKSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS |
| SPI11N65C3 | 功能描述:MOSFET COOL MOS N-CH 650V 11A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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