- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录374886 > SPI11N60S5 (INFINEON TECHNOLOGIES AG) Cool MOS⑩ Power Transistor PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SPI11N60S5 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| 中文描述： | 酷马鞍山⑩功率晶体管 |
| 文件页数： | 5/14页 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | SPI11N60S5 |
2001-07-05
Page 5
SPP11N60C3, SPB11N60C3
SPI11N60C3
Preliminary data
1 Power dissipation
P
tot
=
f
(
T
C
)
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
W
140
SPP11N60C3
P
t
2 Drain current
I
D
=
f
(
T
C
)
parameter:
V
GS
≥
10 V
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
A
12
SPP11N60C3
I
D
3 Safe operating area
I
D
=
f
(
V
DS
)
parameter :
D
= 0 ,
T
C
=25°C
10
0
10
1
10
2
10
3
V
V
DS
-1
10
0
10
1
10
2
10
A
SPP11N60C3
I
D
R
DSo)
V
DS
I
D
DC
10 ms
1 ms
100 μs
t
p = 13.0μs
4 Transient thermal impedance
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
parameter :
D
=
t
p
/
T
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
s
t
p
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
K/W
SPP11N60C3
Z
t
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPB11N60C2 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| SPP11N60CFD | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| SPP11N60S5 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| SPB11N60S5 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| SPB11N60S5 | OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶体管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SPI11N60S5BKSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 |
| SPI11N60S5HKSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
| SPI11N60S5IN | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| SPI11N60S5XKSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS |
| SPI11N65C3 | 功能描述:MOSFET COOL MOS N-CH 650V 11A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。