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参数资料
| 型号： | SPP11N60C3 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Cool MOS Power Transistor |
| 中文描述： | 酷MOS功率晶体管 |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | SPP11N60C3 |
2001-07-05
Page 10
SPP11N60C3, SPB11N60C3
SPI11N60C3
Preliminary data
20 Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
540
560
580
600
620
640
660
680
V
720
SPP11N60C3
V
(
21 Avalanche power losses
P
AR
=
f
(
f
)
parameter:
E
AR
=0.6mJ
10
4
10
5
10
6
MHz
f
0
50
100
150
200
W
300
P
A
22 Typ. capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
parameter:
V
GS
=0V,
f
=1 MHz
4
10
0
100
200
300
400
V
600
V
DS
0
10
1
10
2
10
3
10
pF
C
C
iss
C
oss
C
rss
23 Typ.
C
oss
stored energy
E
oss
=
f
(
V
DS
)
0
100
200
300
400
V
600
V
DS
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
μJ
7.5
E
o
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PDF描述 |
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