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参数资料
| 型号： | SPP11N60C3 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Cool MOS Power Transistor |
| 中文描述： | 酷MOS功率晶体管 |
| 文件页数： | 6/14页 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | SPP11N60C3 |
2001-07-05
Page 6
SPP11N60C3, SPB11N60C3
SPI11N60C3
Preliminary data
5 Typ. output characteristic
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
parameter:
t
p
= 10 μs,
V
GS
0
3
6
9
12
15
18
21
V
V
GS
27
0
4
8
12
16
20
24
28
32
A
40
I
D
4,5V
5V
5,5V
6V
6,5V
7V
20V
10V
8V
6 Typ. output characteristic
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=150°C
parameter:
t
p
= 10 μs,
V
GS
0
5
10
15
V
25
V
DS
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
A
22
I
D
4V
4.5V
5V
5.5V
6V
20V
8V
7V
7.5V
8 Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
=
f
(
T
j
)
parameter :
I
D
= 7 A,
V
GS
= 10 V
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2.1
SPP11N60C3
R
D
typ
98%
7 Typ. drain-source on resistance
R
DS(on)
=
f
(
I
D
)
parameter:
T
j
=150°C,
V
GS
0
2
4
6
8
10
12
14
16
A
20
I
D
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
2
R
D
4V
4.5V
5V
5.5V
6V
6.5V
8V
20V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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