- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录518 > SQ1421EEH-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SQ1421EEH-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6 |
| 特色产品： | SQ Series Power MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 290 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 355pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SQ1421EEH-T1-GE3DKR |
SQ1421EEH
www.vishay.com
Vishay Siliconix
Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
V DS (V)
R DS(on) ( ? ) at V GS = - 10 V
R DS(on) ( ? ) at V GS = - 4.5 V
I D (A)
Configuration
SOT-363
SC-70 (6-LEADS)
- 60
0.290
0.395
- 1.6
Single
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? AEC-Q101 Qualified d
? 100 % R g and UIS Tested
? Typical ESD Protection: 800 V
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
(1, 2, 5, 6) D
D
1
6
D
Marking Code
(3) G
D
2
5
D
9B
XX
Lot Traceability
G
3
4
S
and Date Code
Part # Code
Top View
(4) S
P-Channel MOSFET
ORDERING INFORMATION
Package
Lead (Pb)-free and Halogen-free
SC-70
SQ1421EEH-T1-GE3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T C = 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
SYMBOL
V DS
V GS
LIMIT
- 60
± 20
UNIT
V
Continuous Drain Current
T C = 25 °C a
T C = 125 °C
I D
- 1.6
- 1.4
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
- 1.6
A
Pulsed Drain
Current b
I DM
- 6.7
Single Pulse Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation b
Operating Junction and Storage Temperature Range
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T C = 125 °C
I AS
E AS
P D
T J , T stg
-8
3.2
3.3
1.1
- 55 to + 175
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
PARAMETER
SYMBOL
LIMIT
UNIT
Junction-to-Ambient
Junction-to-Foot (Drain)
PCB
Mount c
R thJA
R thJF
125
45
°C/W
Notes
a. Package limited.
b. Pulse test; pulse width ? 300 μs, duty cycle ? 2 %.
c. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).
d. Parametric verification ongoing.
S11-2128 Rev. B, 31-Oct-11
1
Document Number: 67057
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SQ1431EH-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 3A SC70 |
| SQ2360EES-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236 |
| SQ3418EEV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP |
| SQ3427EEV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP |
| SQ3456BEV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SQ1431EH | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET |
| SQ1431EH-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 3A 3W P-Ch Automotive RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SQ143N31 | 制造商:JDSU 制造商全称:JDS Uniphase Corporation 功能描述:Flexible Small Channel Count Switch Module |
| SQ143N32 | 制造商:JDSU 制造商全称:JDS Uniphase Corporation 功能描述:Flexible Small Channel Count Switch Module |
| SQ143N37 | 制造商:JDSU 制造商全称:JDS Uniphase Corporation 功能描述:Flexible Small Channel Count Switch Module |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。