- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录518 > SQ2360EES-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SQ2360EES-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236 |
| 特色产品： | SQ Series Power MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 370pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SQ2360EES-T1-GE3DKR |
SQ2360EES
www.vishay.com
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
V DS (V)
R DS(on) ( ? ) at V GS = 10 V
R DS(on) ( ? ) at V GS = 4.5 V
I D (A)
Configuration
TO-236
(SOT-23)
G
1
60
0.085
0.130
4.4
Single
D
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? AEC-Q101 Qualified c
? 100 % R g and UIS Tested
? Typical ESD Protection 800 V
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
S
3
2
Top View
SQ2360EES
Marking Code: 8Mxxx
D
G
S
N-Channel MOSFET
ORDERING INFORMATION
Package
Lead (Pb)-free and Halogen-free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T C = 25 °C, unless otherwise noted)
SOT-23
SQ2360EES-T1-GE3
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
SYMBOL
V DS
V GS
LIMIT
60
± 20
UNIT
V
Continuous Drain Current
T C = 25 °C
T C = 125 °C
I D
4.4
2.5
Continuous Source Current (Diode Conduction)
Pulsed Drain Current a
I S
I DM
3.7
17
A
Single Pulse Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T C = 125 °C
I AS
E AS
P D
T J , T stg
6
1.8
3
1
- 55 to + 175
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
PARAMETER
SYMBOL
LIMIT
UNIT
Junction-to-Ambient
Junction-to-Foot (Drain)
PCB Mount b
R thJA
R thJF
166
50
°C/W
Notes
a. Pulse test; pulse width ? 300 μs, duty cycle ? 2 %.
b. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).
c. Parametric verification ongoing.
S11-2111-Rev. E, 07-Nov-11
1
Document Number: 65352
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SQ3418EEV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP |
| SQ3427EEV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP |
| SQ3456BEV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP |
| SQ3460EV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP |
| SQ4401DY-T1-GE3 | MOSFET P-CH 40V 15.8A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SQ2361EES | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
| SQ2361EES-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 2.5A 2W P.CH 150mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SQ-24 | 制造商:Pan Pacific 功能描述: |
| SQ2403PFTNF | 功能描述:ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC FEM RoHS:是 类别:RF/IF 和 RFID >> RF 天线 系列:* 标准包装:1 系列:* |
| SQ2403PG12NF | 功能描述:ANT QUINT ISM PATCH SMD N FEM RoHS:是 类别:RF/IF 和 RFID >> RF 天线 系列:* 标准包装:1 系列:* |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。