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参数资料
| 型号： | SQ2360EES-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236 |
| 特色产品： | SQ Series Power MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 370pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SQ2360EES-T1-GE3DKR |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR SOT-23
0.037
(0.950)
0.022
(0.559)
0.053
(1.341)
0.097
(2.459)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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Document Number: 72609
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
25
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SQ3418EEV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP |
| SQ3427EEV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SQ2361EES | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
| SQ2361EES-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 2.5A 2W P.CH 150mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SQ-24 | 制造商:Pan Pacific 功能描述: |
| SQ2403PFTNF | 功能描述:ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC FEM RoHS:是 类别:RF/IF 和 RFID >> RF 天线 系列:* 标准包装:1 系列:* |
| SQ2403PG12NF | 功能描述:ANT QUINT ISM PATCH SMD N FEM RoHS:是 类别:RF/IF 和 RFID >> RF 天线 系列:* 标准包装:1 系列:* |
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