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参数资料
| 型号： | SQ2360EES-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236 |
| 特色产品： | SQ Series Power MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 370pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SQ2360EES-T1-GE3DKR |
SQ2360EES
www.vishay.com
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
8 0
I DM Limited
I D = 1 mA
76
10
100 μ s
Limited by R D S (on) *
72
6 8
1
0.1
1 m s
10 m s
100 m s
64
T C = 25 °C
BVD SS Limited
1 s
10 s , DC
S ingle Pul s e
60
- 50
- 25
0 25 50 75 100 125
150
175
0.01
0.01
0.1 1
10
100
T J - Junction Temperature (°C)
Drain-Source Breakdown vs. Junction Temperature
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R D S (on) i s s pecified
Safe Operating Area
THERMAL RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
N otes:
t 1
t 2
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
P DM
t 1
t 2
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 166 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
S11-2111-Rev. E, 07-Nov-11
5
Document Number: 65352
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SQ3418EEV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP |
| SQ3427EEV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP |
| SQ3456BEV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP |
| SQ3460EV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP |
| SQ4401DY-T1-GE3 | MOSFET P-CH 40V 15.8A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SQ2361EES | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
| SQ2361EES-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 2.5A 2W P.CH 150mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SQ-24 | 制造商:Pan Pacific 功能描述: |
| SQ2403PFTNF | 功能描述:ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC FEM RoHS:是 类别:RF/IF 和 RFID >> RF 天线 系列:* 标准包装:1 系列:* |
| SQ2403PG12NF | 功能描述:ANT QUINT ISM PATCH SMD N FEM RoHS:是 类别:RF/IF 和 RFID >> RF 天线 系列:* 标准包装:1 系列:* |
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