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参数资料
| 型号： | SQ2360EES-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236 |
| 特色产品： | SQ Series Power MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 370pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SQ2360EES-T1-GE3DKR |
SQ2360EES
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
0.005
10 -2
0.004
10 -4
0.003
T J = 25 °C
10 -6
T J = 150 °C
0.002
T J = 25 °C
10 - 8
0.001
0.000
0
6 12 1 8
24
30
10 -10
0
6 12 1 8
24
30
12
10
8
6
V GS - Gate-to-Source V oltage ( V )
Gate Current vs. Gate-Source Voltage
V GS = 10 V thru 5 V
V GS = 4 V
12
10
8
6
V GS - Gate-to-Source V oltage ( V )
Gate Current vs. Gate-Source Voltage
4
4
T C = 25 °C
2
V GS = 3 V
2
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
10
8
6
V DS - Drain-to-Source V oltage ( V )
Output Characteristics
T C = - 55 ° C
T C = 25 °C
0.25
0.20
0.15
V GS - Gate-to-Source V oltage ( V )
Transfer Characteristics
4
0.10
V GS = 4.5 V
2
0
T C = 125 ° C
0.05
0.00
V GS = 10 V
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
0
2
4 6
8
10
12
I D - Drain Current (A)
Transconductance
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
S11-2111-Rev. E, 07-Nov-11
3
Document Number: 65352
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SQ2361EES-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 2.5A 2W P.CH 150mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SQ-24 | 制造商:Pan Pacific 功能描述: |
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