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参数资料
| 型号： | SQ3456BEV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP |
| 特色产品： | SQ Series Power MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 370pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SQ3456BEV-T1-GE3DKR |
SQ3456BEV
www.vishay.com
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V)
R DS(on) ( ? ) at V GS = 10 V
R DS(on) ( ? ) at V GS = 4.5 V
I D (A)
Configuration
TSOP-6
Top V iew
1
6
30
0.035
0.052
7.8
Single
(1, 2, 5, 6) D
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFET
? AEC-Q101 Qualified c
? 100 % R g and UIS Tested
? Material categorization:
For definitions of compliance please see
www.vishay.com/doc?99912
3 mm
2
5
(3) G
3
2.85 mm
Marking Code: 8Lxxx
4
(4) S
N-Channel MOSFET
ORDERING INFORMATION
Package
Lead (Pb)-free and Halogen-free
TSOP-6
SQ3456BEV-T1-GE3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T C = 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
SYMBOL
V DS
V GS
LIMIT
30
± 20
UNIT
V
Continuous Drain Current
T C = 25 °C
T C = 125 °C
I D
7.8
4.5
Continuous Source Current (Diode Conduction)
Pulsed Drain Current a
I S
I DM
5
31
A
Single Pulse Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T C = 125 °C
I AS
E AS
P D
T J , T stg
10
5
4
1.3
- 55 to + 175
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
PARAMETER
SYMBOL
LIMIT
UNIT
Junction-to-Ambient
Junction-to-Foot (Drain)
PCB
Mount b
R thJA
R thJF
110
38
°C/W
Notes
a. Pulse test; pulse width ? 300 μs, duty cycle ? 2 %.
b. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).
c. Parametric verification ongoing.
S12-1848-Rev. B, 30-Jul-12
1
Document Number: 67934
For technical questions, contact: automostechsupport@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SQ3460EV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP |
| SQ4401DY-T1-GE3 | MOSFET P-CH 40V 15.8A 8SOIC |
| SQ4410EY-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V 8SOIC |
| SQ4470EY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC |
| SQ4840EY-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 40V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SQ3456EV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 ?°C MOSFET |
| SQ3456EV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 8A 4W N-Ch Automotive RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SQ3457EV-T1-GE3 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: |
| SQ3460EV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET |
| SQ3460EV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 8A 3.6W N-Ch Automotive RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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