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参数资料
| 型号： | SQ3456BEV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP |
| 特色产品： | SQ Series Power MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 370pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SQ3456BEV-T1-GE3DKR |
SQ3456BEV
www.vishay.com
THERMAL RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
100
I DM Limited
10
100 μ s
Vishay Siliconix
1
Limited by R D S (on) *
1 m s
10 m s
0.1
T C = 25 ° C
S ingle Pul s e
BVD SS Limited
100 m s
1 s , 10 s , DC
0.01
0.01
0.1 1 10
100
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R D S (on) i s s pecified
Safe Operating Area
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
N otes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 1
0.01
0.02
Single Pulse
t 2
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 110 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
S12-1848-Rev. B, 30-Jul-12
5
Document Number: 67934
For technical questions, contact: automostechsupport@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SQ3460EV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP |
| SQ4401DY-T1-GE3 | MOSFET P-CH 40V 15.8A 8SOIC |
| SQ4410EY-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V 8SOIC |
| SQ4470EY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC |
| SQ4840EY-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 40V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SQ3456EV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 ?°C MOSFET |
| SQ3456EV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 8A 4W N-Ch Automotive RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SQ3457EV-T1-GE3 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: |
| SQ3460EV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET |
| SQ3460EV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 8A 3.6W N-Ch Automotive RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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