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参数资料
| 型号： | SQ3456BEV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP |
| 特色产品： | SQ Series Power MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 370pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SQ3456BEV-T1-GE3DKR |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR TSOP-6
0.099
(2.510)
0.039
(1.001)
0.020
(0.508)
0.019
(0.493)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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www.vishay.com
26
Document Number: 72610
Revision: 21-Jan-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SQ3460EV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP |
| SQ4401DY-T1-GE3 | MOSFET P-CH 40V 15.8A 8SOIC |
| SQ4410EY-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V 8SOIC |
| SQ4470EY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC |
| SQ4840EY-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 40V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SQ3456EV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 ?°C MOSFET |
| SQ3456EV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 8A 4W N-Ch Automotive RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SQ3457EV-T1-GE3 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: |
| SQ3460EV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET |
| SQ3460EV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 8A 3.6W N-Ch Automotive RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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