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参数资料
| 型号： | SQM110N04-02L-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 40V TO263 |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.3 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 375W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SQM110N04-02L
www.vishay.com
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
V DS (V)
R DS(on) ( ? ) at V GS = 10 V
R DS(on) ( ? ) at V GS = 4.5 V
I D (A)
Configuration
TO-263
G
D S
G
40
0.0023
0.0041
120
Single
D
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? Package with Low Thermal Resistance
? AEC-Q101 Qualified d
? 100 % R g and UIS Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
Top View
S
N-Channel MOSFET
ORDERING INFORMATION
Package
Lead (Pb)-free and Halogen-free
TO-263
SQM110N04-02L-GE3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T C = 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
SYMBOL
V DS
V GS
LIMIT
40
± 20
UNIT
V
Continuous Drain Current a
T C = 25 °C
T C = 125 °C
I D
120
120
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
Pulsed Drain Current b
I S
I DM
120
480
A
Single Pulse Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation b
Operating Junction and Storage Temperature Range
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T C = 125 °C
I AS
E AS
P D
T J , T stg
75
281
375
125
- 55 to + 175
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
PARAMETER
SYMBOL
LIMIT
UNIT
Junction-to-Ambient
Junction-to-Case (Drain)
PCB
Mount c
R thJA
R thJC
40
0.4
°C/W
Notes
a. Package limited.
b. Pulse test; pulse width ? 300 μs, duty cycle ? 2 %.
c. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).
d. Parametric verification ongoing.
S11-2028-Rev. C, 17-Oct-11
1
Document Number: 64731
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SQM110N04-03L-GE3 | MOSFET N-CH D-S 40V TO263 |
| SQM110N06-04L-GE3 | MOSFET N-CH D-S 60V TO263 |
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| SQM85N03-06P-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO263 |
| SQR50N03-06P-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SQM110N04-03-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 110A 375W 2.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SQM110N04-03L-GE3 | 功能描述:MOSFET N-CH D-S 40V TO263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| SQM110N04-04-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 120A 250W 3.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SQM110N05-06L-GE3 | 功能描述:MOSFET 55V 110A 158W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SQM110N06-04L-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 120A 437.5W 3.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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