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参数资料
| 型号： | SQM85N03-06P-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V TO263 |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4120pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SQM85N03-06P
www.vishay.com
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
V DS (V)
R DS(on) ( ? ) at V GS = 10 V
R DS(on) ( ? ) at V GS = 4.5 V
I D (A)
Configuration
TO-263
G
D S
G
30
0.0060
0.0085
60
Single
D
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? Package with Low Thermal Resistance
? AEC-Q101 Qualified d
? 100 % R g and UIS Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
Top View
S
N-Channel MOSFET
ORDERING INFORMATION
Package
Lead (Pb)-free and Halogen-free
TO-263
SQM85N03-06P-GE3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T C = 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
SYMBOL
V DS
V GS
LIMIT
30
± 20
UNIT
V
Continuous Drain Current
T C = 25 °C a
T C = 125 °C
I D
60
55
Continuous Source Current (Diode
Pulsed Drain Current b
Single Pulse Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation b
Conduction) a
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T C = 125 °C
I S
I DM
I AS
E AS
P D
60
240
46
105
100
33
A
mJ
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to + 175
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
PARAMETER
SYMBOL
LIMIT
UNIT
Junction-to-Ambient
Junction-to-Case (Drain)
PCB
Mount c
R thJA
R thJC
40
1.5
°C/W
Notes
a. Package limited.
b. Pulse test; pulse width ? 300 μs, duty cycle ? 2 %.
c. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).
d. Parametric verification ongoing.
S11-2028-Rev. C, 17-Oct-11
1
Document Number: 69077
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SQR50N03-06P-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO263 |
| SQS400EN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 16A TO263 |
| SQS401EN-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 40V PPAK 1212-8 |
| SSA-LXB102GD | LED ARRAY 3MM 10SEG FLAT TOP GRN |
| SSA-LXB102ID | LED ARRAY 3MM 10SEG FLAT TOP RED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SQM85N10-10-GE3 | 功能描述:MOSFET 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SQM85N15 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive N-Channel 150 V (D-S) 175 ?°C MOSFET |
| SQM85N15-19-GE3 | 功能描述:MOSFET 150V 85A 375W 19mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SQM85N19 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive N-Channel 150 V (D-S) 175 ?°C MOSFET |
| SQM-N75LP/128 | 制造商:STEC Inc 功能描述:SEE AMC16V64T8SEGA - Bulk |
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