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参数资料
| 型号： | SQM85N03-06P-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V TO263 |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4120pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SQM85N03-06P
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
2.0
100
1.7
I D = 20 A
V GS = 10 V
10
T J = 150 °C
1.4
1.1
0.8
0.5
V GS = 4.5 V
1
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.05
0.04
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.5
0.1
V S D - S ource-to-Drain Voltage (V)
Source Drain Diode Forward Voltage
0.03
0.02
- 0.3
- 0.7
I D = 5 mA
0.01
0
T J = 150 °C
T J = 25 °C
- 1.1
- 1.5
I D = 250 μA
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
V GS - G ate-to- S ource Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
40
I D = 10 mA
38
36
34
32
30
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T J - Junction Temperature (°C)
Drain Source Breakdown vs. Junction Temperature
S11-2028-Rev. C, 17-Oct-11
4
Document Number: 69077
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SQR50N03-06P-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO263 |
| SQS400EN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 16A TO263 |
| SQS401EN-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 40V PPAK 1212-8 |
| SSA-LXB102GD | LED ARRAY 3MM 10SEG FLAT TOP GRN |
| SSA-LXB102ID | LED ARRAY 3MM 10SEG FLAT TOP RED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SQM85N10-10-GE3 | 功能描述:MOSFET 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SQM85N15 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive N-Channel 150 V (D-S) 175 ?°C MOSFET |
| SQM85N15-19-GE3 | 功能描述:MOSFET 150V 85A 375W 19mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SQM85N19 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive N-Channel 150 V (D-S) 175 ?°C MOSFET |
| SQM-N75LP/128 | 制造商:STEC Inc 功能描述:SEE AMC16V64T8SEGA - Bulk |
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