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参数资料
| 型号： | SQM85N03-06P-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V TO263 |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4120pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263（D2Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SQM85N03-06P
www.vishay.com
THERMAL RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
I DM Limited
Vishay Siliconix
100
Limited by
10
R DS(on) *
I D Limited
1 ms
10 ms
100 ms
1 s, 10 s, DC
1
0.1
T C = 25 °C
0.01
Single Pulse
BVDSS Limited
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS
minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
1000
Sq uare Wave Pul s e Duration ( s )
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
S11-2028-Rev. C, 17-Oct-11
5
Document Number: 69077
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SQR50N03-06P-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V TO263 |
| SQS400EN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 16A TO263 |
| SQS401EN-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 40V PPAK 1212-8 |
| SSA-LXB102GD | LED ARRAY 3MM 10SEG FLAT TOP GRN |
| SSA-LXB102ID | LED ARRAY 3MM 10SEG FLAT TOP RED |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SQM85N10-10-GE3 | 功能描述:MOSFET 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SQM85N15 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive N-Channel 150 V (D-S) 175 ?°C MOSFET |
| SQM85N15-19-GE3 | 功能描述:MOSFET 150V 85A 375W 19mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SQM85N19 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive N-Channel 150 V (D-S) 175 ?°C MOSFET |
| SQM-N75LP/128 | 制造商:STEC Inc 功能描述:SEE AMC16V64T8SEGA - Bulk |
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