- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20604 > SS12P4C-M3/86A (Vishay General Semiconductor)DIODE SCHOTTKY 12A 40V SMPC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SS12P4C-M3/86A |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 93K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 12A 40V SMPC |
| 标准包装： | 1,500 |
| 系列： | eSMP™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 520mV @ 6A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 40V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 6A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-277，3-PowerDFN |
| 供应商设备封装： | TO-277A |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Document Number: 89141 For technical questions within your region, please contact one of the following: www.vishay.com
Revision: 13-May-11
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
3
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
SS12P4C
Vishay General Semiconductor
New Product
Fig. 2 - Forward Power Loss Characteristics Per Diode
Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Fig. 4 - Typical Reverse Leakage Characteristics Per Diode
Fig. 5 - Typical Junc
tion Capacitance Per Diode
Fig. 6 - Typical Transient IThermal mpedance Per Diode
D = 0.3
D = 0.5
Average Forward Current (A)
A
v
erage Po
w
er Loss (
W
)
0 1 2 3 4 5 6 7
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
D = tp/T tp
T
D = 1.0
D = 0.8
D = 0.1
D = 0.2
0.1
1
10
100
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.
8
0.9
TA
= 25 °C
TA= 125 °C
TA
= 100 °C
0.01
1
10
100
10 20 30 40 50 60 70
80 90 100
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (mA)
0.1
TA= 125 °C
TA
= 100 °C
TA
= 25 °C
100
1000
10 000
0.1 1 10 100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capaci
tance (pF)
10
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
100
1000
10 000
0.1 1 10 100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capacitance (pF)
10
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-BNX-EU-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 200W |
| 71M6543G-IGT/F | IC ENERGY METR 128K FLSH 100LQFP |
| U16DCT-E3/4W | DIODE 16A 200V 35NS DUAL TO220-3 |
| U16CCT-E3/4W | DIODE ARRAY 150V 8A TO220-3 |
| VI-BNX-EU-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 200W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SS12P4C-M3-87A | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifier |
| SS12P4S | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:SMD Photovoltaic Solar Cell Protection Schottky Rectifier |
| SS12P4S-M3/86A | 功能描述:肖特基二极管与整流器 12 Amp 40 Volt 280 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SS12P4S-M3/87A | 功能描述:肖特基二极管与整流器 12 Amp 40 Volt 280 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SS12R2 | 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:Schottky rectifier diode, SS12 R2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。