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参数资料
| 型号： | SST25VF020B-80-4C-SAE-T |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 21/35页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH SER 2MB 80MHZ SPI 8SOIC |
| 标准包装： | 3,300 |
| 系列： | SST25 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 2M (256K x 8) |
| 速度： | 80MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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2 Mbit SPI Serial Flash
A Microchip Technology Company
SST25VF020B
Data Sheet
Write-Disable (WRDI)
The Write-Disable (WRDI) instruction resets the Write-Enable-Latch bit and AAI bit to 0 disabling any
new Write operations from occurring. The WRDI instruction will not terminate any programming opera-
tion in progress. Any program operation in progress may continue up to T BP after executing the WRDI
instruction. CE# must be driven high before the WRDI instruction is executed.
CE#
MODE 3
0 1 2 3 4 5 6 7
SCK
SI
SO
MODE 0
04
MSB
HIGH IMPEDANCE
1417 WRDI.0
Figure 19: Write Disable (WRDI) Sequence
Enable-Write-Status-Register (EWSR)
The Enable-Write-Status-Register (EWSR) instruction arms the Write-Status-Register (WRSR)
instruction and opens the status register for alteration. The Write-Status-Register instruction must be
executed immediately after the execution of the Enable-Write-Status-Register instruction. This two-
step instruction sequence of the EWSR instruction followed by the WRSR instruction works like SDP
(software data protection) command structure which prevents any accidental alteration of the status
register values. CE# must be driven low before the EWSR instruction is entered and must be driven
high before the EWSR instruction is executed.
?2012 Silicon Storage Technology, Inc.
21
DS25054A
01/12
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SST25VF020B-80-4I-QAE | 功能描述:闪存 2M (256Kx8) 80MHz 2.7-3.6V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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