参数资料
型号: SST25VF020B-80-4C-SAE-T
厂商: Microchip Technology
文件页数: 29/35页
文件大小: 0K
描述: IC FLASH SER 2MB 80MHZ SPI 8SOIC
标准包装: 3,300
系列: SST25
格式 - 存储器: 闪存
存储器类型: FLASH
存储容量: 2M (256K x 8)
速度: 80MHz
接口: SPI 串行
电源电压: 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 带卷 (TR)
2 Mbit SPI Serial Flash
A Microchip Technology Company
SST25VF020B
Data Sheet
Power-Up Specifications
All functionalities and DC specifications are specified for a V DD ramp rate of greater than 1V per 100
ms (0v - 3.0V in less than 300 ms). See Table 15 and Figure 27 for more information.
Table 15: Recommended System Power-up Timings
Symbol
T PU-READ1
Parameter
V DD Min to Read Operation
Minimum
100
Units
μs
T PU-WRITE
1
V DD Min to Write Operation
100
μs
T15.0 25054
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
V DD
V DD Max
Chip selection is not allowed.
Commands may not be accepted or properly
interpreted by the device.
V DD Min
T PU-READ
T PU-WRITE
Device fully accessible
Time
1417 PwrUp.0
Figure 27: Power-up Timing Diagram
?2012 Silicon Storage Technology, Inc.
29
DS25054A
01/12
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PDF描述
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SST25VF020B-80-4I-Q3AE-T 功能描述:闪存 2.7V to 3.6V 2Mbit SPI Serial 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
SST25VF020B-80-4I-QAE 功能描述:闪存 2M (256Kx8) 80MHz 2.7-3.6V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
SST25VF020B-80-4I-QAE-T 功能描述:闪存 2.7V to 3.6V 2Mbit SPI Serial 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
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