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参数资料
| 型号： | SST25VF020B-80-4C-SAE-T |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 26/35页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH SER 2MB 80MHZ SPI 8SOIC |
| 标准包装： | 3,300 |
| 系列： | SST25 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 2M (256K x 8) |
| 速度： | 80MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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2 Mbit SPI Serial Flash
A Microchip Technology Company
SST25VF020B
Data Sheet
Table 11: DC Operating Characteristics
Limits
Symbol Parameter
Min
Max Units Test Conditions
I DDR
I DDR3
I DDW
I SB
I LI
I LO
V IL
V IH
V OL
V OL2
V OH
Read Current
Read Current
Program and Erase Current
Standby Current
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
Output Low Voltage
Output Low Voltage
Output High Voltage
0.7 V DD
V DD -0.2
12
20
30
20
1
1
0.8
0.2
0.4
mA
mA
mA
μA
μA
μA
V
V
V
V
V
CE#=0.1 V DD /0.9 V DD @33 MHz, SO=open
CE#=0.1 V DD /0.9 V DD @80 MHz, SO=open
CE#=V DD
CE#=V DD , V IN =V DD or V SS
V IN =GND to V DD , V DD =V DD Max
V OUT =GND to V DD , V DD =V DD Max
V DD =V DD Min
V DD =V DD Max
I OL =100 μA, V DD =V DD Min
I OL =1.6 mA, V DD =V DD Min
I OH =-100 μA, V DD =V DD Min
T11.0 25054
Table 12: Capacitance (T A = 25°C, f=1 MHz, other pins open)
Parameter
Description
Test Condition
Maximum
C OUT
C IN1
1
Output Pin Capacitance
Input Capacitance
V OUT = 0V
V IN = 0V
12 pF
6 pF
T12.0 25054
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
Table 13: Reliability Characteristics
Symbol
N END1
T DR1
I LTH1
Parameter
Endurance
Data Retention
Latch Up
Minimum Specification
100,000
100
100 + I DD
Units
Cycles
Years
mA
Test Method
JEDEC Standard A117
JEDEC Standard A103
JEDEC Standard 78
T13.0 25054
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
?2012 Silicon Storage Technology, Inc.
26
DS25054A
01/12
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PDF描述 |
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参数描述 |
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