- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4248 > SST25VF020B-80-4I-QAE (Microchip Technology)IC FLASH SER 2MB 80MHZ SPI 8WSON PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SST25VF020B-80-4I-QAE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 29/35页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH SER 2MB 80MHZ SPI 8WSON |
| 标准包装： | 98 |
| 系列： | SST25 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 2M (256K x 8) |
| 速度： | 80MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WSON |
| 包装： | 管件 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页当前第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页
2 Mbit SPI Serial Flash
A Microchip Technology Company
SST25VF020B
Data Sheet
Power-Up Specifications
All functionalities and DC specifications are specified for a V DD ramp rate of greater than 1V per 100
ms (0v - 3.0V in less than 300 ms). See Table 15 and Figure 27 for more information.
Table 15: Recommended System Power-up Timings
Symbol
T PU-READ1
Parameter
V DD Min to Read Operation
Minimum
100
Units
μs
T PU-WRITE
1
V DD Min to Write Operation
100
μs
T15.0 25054
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
V DD
V DD Max
Chip selection is not allowed.
Commands may not be accepted or properly
interpreted by the device.
V DD Min
T PU-READ
T PU-WRITE
Device fully accessible
Time
1417 PwrUp.0
Figure 27: Power-up Timing Diagram
?2012 Silicon Storage Technology, Inc.
29
DS25054A
01/12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XC6SLX75T-3FGG676C | IC FPGA SPARTAN 6 74K 676FGGBGA |
| 24AA256T-I/SM | IC EEPROM 256KBIT 400KHZ 8SOIC |
| XC6SLX100-N3FGG676I | IC FPGA SPARTAN-6 676FBGA |
| 25C160T-E/SN | IC EEPROM 16KBIT 3MHZ 8SOIC |
| 25C160-E/SN | IC EEPROM 16KBIT 3MHZ 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST25VF020B-80-4I-QAE-T | 功能描述:闪存 2.7V to 3.6V 2Mbit SPI Serial 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST25VF020B-80-4I-SAE | 功能描述:闪存 2M (256Kx8) 80MHz 2.7-3.6V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST25VF020B-80-4I-SAE | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:MEMORY FLASH 2M SPI 8SOIC |
| SST25VF020B-80-4I-SAE-T | 功能描述:闪存 2.7V to 3.6V 2Mbit SPI Serial 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST25VF032B | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:32 Mbit SPI Serial Flash |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。