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参数资料
| 型号： | SST25VF064C-80-4C-Q2AE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 6/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH SER 64M DUAL I/O 8WSON |
| 标准包装： | 480 |
| 系列： | SST25 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 64M（8M x 8） |
| 速度： | 80MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WSON |
| 包装： | 管件 |
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64 Mbit SPI Serial Dual I/O Flash
A Microchip Technology Company
SST25VF064C
Data Sheet
Reset
If the RST#/HOLD# pin is used as a reset pin, RST# pin provides a hardware method for resetting the
device. Driving the RST# pin high puts the device in normal operating mode. The RST# pin must be
driven low for a minimum of T RST time to reset the device. The SO pin is in high impedance state while
the device is in reset. A successful reset will reset the status register to its power-up state (BPL, BUSY
and WEL = 0; BP3, BP2, BP1, and BP0 = 1). See Table 2 for default power-up modes. A device reset
during an active Program or Erase operation aborts the operation and data of the targeted address
range may be corrupted or lost due to the aborted erase or program operation.
CE#
T RECR
T RECP
T REC E
SCK
T RST
RST#
T RHZ
SO
SI
1292 F28.0
Figure 4: Reset Timing Diagram
Table 2: Reset Timing Parameters
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
T RST
T RHZ
T RECR
T RECP
T RECE
Reset Pulse Width
Reset to High-Z Output
Reset Recovery from Read
Reset Recovery from Program
Reset Recovery from Erase
100
105
100
10
1
ns
ns
ns
μs
ms
T2.25036
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
6
DS25036A
06/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ASC60DRTS | CONN EDGECARD 120PS .100 DIP SLD |
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| ASC60DRES | CONN EDGECARD 120POS .100 EYELET |
| SST25VF064C-80-4I-S3AE-T | IC FLASH SER 64M DUAL I/O 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST25VF064C-80-4C-Q2AE-T | 功能描述:闪存 2.7V to 3.6V 64Mbit SPI Serial 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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