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参数资料
| 型号： | SST25VF080B-80-4C-QAE-T |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 11/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH SER 8MB 50MHZ SPI 8WSON |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | SST25 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 8M（1M x 8） |
| 速度： | 80MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WSON |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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8 Mbit SPI Serial Flash
A Microchip Technology Company
SST25VF080B
Data Sheet
High-Speed-Read (66/80 MHz)
The High-Speed-Read instruction supporting up to 66 MHz (for SST25VF080B-50-xx-xxxx) or 80 MHz
(for SST25VF040B-80-xx-xxxx) Read is initiated by executing an 8-bit command, 0BH, followed by
address bits [A23-A0] and a dummy byte. CE# must remain active low for the duration of the High-
Speed-Read cycle. See Figure 6 for the High-Speed-Read sequence.
Following a dummy cycle, the High-Speed-Read instruction outputs the data starting from the speci-
fied address location. The data output stream is continuous through all addresses until terminated by a
low to high transition on CE#. The internal address pointer will automatically increment until the high-
est memory address is reached. Once the highest memory address is reached, the address pointer
will automatically increment to the beginning (wrap-around) of the address space. Once the data from
address location FFFFFH has been read, the next output will be from address location 00000H.
CE#
MODE 3
0 1 2 3 4 5 6 7 8
15 16
23 24
31 32
39 40
47 48
55 56
63 64
71 72
80
SCK
MODE 0
SI
0B
ADD.
ADD.
ADD.
X
MSB
MSB
SO
HIGH IMPEDANCE
N
D OUT
N+1
D OUT
N+2
D OUT
N+3
D OUT
N+4
D OUT
MSB
1296 HSRdSeq.0
Note: X = Dummy Byte: 8 Clocks Input Dummy Cycle (V IL or V IH )
Figure 6: High-Speed-Read Sequence
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
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DS25045A
09/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 25AA256T-I/SN | IC EEPROM 256KBIT 10MHZ 8SOIC |
| FMC28DRXN | CONN EDGECARD 56POS DIP .100 SLD |
| FMC28DRXH | CONN EDGECARD 56POS DIP .100 SLD |
| FSM28DSEI | CONN EDGECARD 56POS .156 EYELET |
| ACC49DRYI-S734 | CONN EDGECARD 98POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST25VF080B-80-4C-QAF | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:8 Mbit SPI Serial Flash |
| SST25VF080B-80-4C-S2AE | 功能描述:闪存 8M (1Mx8) 80MHz 2.7-3.6V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST25VF080B-80-4C-S2AE-T | 功能描述:闪存 2.7V to 3.6V 8Mbit SPI Serial 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST25VF080B-80-4C-S2AF | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:8 Mbit SPI Serial Flash |
| SST25VF080B-80-4C-SAE | 功能描述:闪存 2.7V to 3.6V 16Mbit SPI Serial 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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