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参数资料
| 型号： | SST25VF512-20-4C-SAE-T |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 20/29页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH SER 512K 20MHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | SST25 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 20MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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512 Kbit SPI Serial Flash
A Microchip Technology Company
SST25VF512
Data Sheet
Table 10: Recommended System Power-up Timings
Symbol
T PU-READ1
Parameter
V DD Min to Read Operation
Minimum
10
Units
μs
T PU-WRITE
1
V DD Min to Write Operation
10
μs
T10.0 25076
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
Table 11: Capacitance (T A = 25°C, f=1 Mhz, other pins open)
Parameter
C OUT1
Description
Output Pin Capacitance
Test Condition
V OUT = 0V
Maximum
12 pF
C IN
1
Input Capacitance
V IN = 0V
6 pF
T11.0 25076
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
Table 12: Reliability Characteristics
Symbol
N END1
T DR1
I LTH1
Parameter
Endurance
Data Retention
Latch Up
Minimum Specification
10,000
100
100 + I DD
Units
Cycles
Years
mA
Test Method
JEDEC Standard A117
JEDEC Standard A103
JEDEC Standard 78
T12.1 25076
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
20
DS25076A
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST25VF512A-33-4I-QAE-T | IC FLASH SER 512KB 33MHZ 8WSON |
| SST25WF040-40-5I-QAE-T | IC FLASH SER 4MB 40MHZ SPI 8WSON |
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| SST26VF032A-80-5I-S2AE | IC FLASH 32MBIT 8SOIC |
| SST38VF6402-90-5I-B3KE-T | IC FLASH MPF 64MBIT 90NS 48TFBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST25VF512A | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:512 Kbit SPI Serial Flash |
| SST25VF512A-33-4C-QAE | 功能描述:闪存 512K (64K X 8) 33MHz RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST25VF512A-33-4C-QAE-T | 功能描述:闪存 2.7V to 3.6V 512Kbit SPI Serial 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST25VF512A-33-4C-SAE | 功能描述:闪存 512K (64Kx8) 33MHz 2.7-3.6V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST25VF512A-33-4C-SAE | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:MEMORY FLASH 512K SPI 8SOIC |
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