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参数资料
| 型号： | SST25VF512-20-4C-SAE-T |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 28/29页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH SER 512K 20MHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | SST25 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 20MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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512 Kbit SPI Serial Flash
A Microchip Technology Company
SST25VF512
Data Sheet
Table 14: Revision History
Revision
Description
Date
00
01
02
03
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Initial release
Remove Cycles 6 & 7 for Read and Write operations.
Swapped Ready#/Busy logic. (1 = busy, 0 = not busy)
Change WP# description
Added SPI protocol timing diagram.
Updated all timing diagrams
Remove all Reset# pin description.
Add HOLD# description.
Updated Transient Voltage parameter.
Add Auto Address Increment (AAI) feature and description.
Global layout changes.
Updated all Instruction descriptions.
Removed 15H and 1DH commands for Read ID
Moved the 2 Mbit and 4 Mbit parts to data sheet S71231
Moved the 1 Mbit part to data sheet S71233
Changed AC timing parameter T CES and T CEH timings to 20 ns
AC timing point corrected in Figure 19
Added RDSR instruction in Figure 6
Added System Power-up Timing
Re-aligned CE# with CLK in Mode 3 for all figures
Corrected block address range to A MS -A 15 in “Block-Erase” on
May 2001
Jan 2002
Apr 2002
Apr 2003
page 14
04
?
?
Removed Industrial temperature parts
Updated Figures 2, 4 - 14: Aligned SI waveform with rising edge of
Aug 2003
clock
05
06
07
?
?
?
2004 Data Book
Added footnote 2 to Table 3 on page 8 (PSN: C0250001)
Added RoHS compliance information on page 1 and in the “Product
Dec 2003
Apr 2004
Jan 2005
Ordering Information” on page 25
?
Updated the surface mount lead temperature from 240°C to 260°C
and the time from 3 seconds to 10 seconds on page 19.
08
?
Revised the Absolute Max. Stress Ratings for Surface Mount Solder
Nov 2005
Reflow Temp.
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
09
A
?
?
?
?
?
Updated QA package drawing to version 9.
Removed leaded parts.
Applied new document format
Released document under letter revision system
Updated Spec number S71192 to DS25076
Jan 2006
Oct 2011
DS25076A
10/11
28
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST25VF512A-33-4I-QAE-T | IC FLASH SER 512KB 33MHZ 8WSON |
| SST25WF040-40-5I-QAE-T | IC FLASH SER 4MB 40MHZ SPI 8WSON |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST25VF512A | 制造商:SST 制造商全称:Silicon Storage Technology, Inc 功能描述:512 Kbit SPI Serial Flash |
| SST25VF512A-33-4C-QAE | 功能描述:闪存 512K (64K X 8) 33MHz RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST25VF512A-33-4C-QAE-T | 功能描述:闪存 2.7V to 3.6V 512Kbit SPI Serial 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST25VF512A-33-4C-SAE | 功能描述:闪存 512K (64Kx8) 33MHz 2.7-3.6V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST25VF512A-33-4C-SAE | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:MEMORY FLASH 512K SPI 8SOIC |
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