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参数资料
| 型号： | SST25WF080-75-4I-SAF-T |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 14/33页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | I CFLASH SER 8MN 75MHZ SPI 8SOIC |
| 标准包装： | 3,300 |
| 系列： | SST25 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 8M（1M x 8） |
| 速度： | 75MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 1.65 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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8 Mbit 1.8V SPI Serial Flash
A Microchip Technology Company
SST25WF080
Not Recommended for New Designs
Byte-Program
The Byte-Program instruction programs the bits in the selected byte to the desired data. The selected
byte must be in the erased state (FFH) when initiating a Program operation. A Byte-Program instruction
applied to a protected memory area will be ignored.
Prior to any Write operation, the Write-Enable (WREN) instruction must be executed. CE# must remain
active low for the duration of the Byte-Program instruction. The Byte-Program instruction is initiated by
executing an 8-bit command, 02H, followed by address bits [A 23 -A 0 ]. Following the address, the data is
input in order from MSB (bit 7) to LSB (bit 0). CE# must be driven high before the instruction is exe-
cuted. The user may poll the Busy bit in the software status register or wait T BP for the completion of
the internal self-timed Byte-Program operation. See Figure 9 for the Byte-Program sequence.
CE#
MODE 3
0 1 2 3 4 5
6 7 8
15 16
23 24
31 32
39
SCK
MODE 0
SI
02
ADD.
ADD.
ADD.
D IN
SO
MSB
HIGH IMPEDANCE
MSB LSB
1203 F08.0
Figure 9: Byte-Program Sequence
?2012 Silicon Storage Technology, Inc.
14
DS25024B
03/12
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PDF描述 |
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参数描述 |
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