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参数资料
| 型号： | SST26VF016-80-5C-QAE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 14/39页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLSH SER 16MB 80MHZ SPI 8WSON |
| 标准包装： | 98 |
| 系列： | SST26 SQI® |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 16M（2M x 8） |
| 速度： | 80MHz |
| 接口： | Serial Quad I/O™（SQI™） |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WSON |
| 包装： | 管件 |
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Serial Quad I/O (SQI) Flash Memory
A Microchip Technology Company
SST26VF016 / SST26VF032
Data Sheet
Read (33 MHz)
The Read instruction, 03H, is supported in SPI bus protocol only with clock frequencies up to 33 MHz.
This command is not supported in SQI bus protocol. The device outputs the data starting from the
specified address location, then continuously streams the data output through all addresses until ter-
minated by a low-to-high transition on CE#. The internal address pointer will automatically increment
until the highest memory address is reached. Once the highest memory address is reached, the
address pointer will automatically return to the beginning (wrap-around) of the address space.
Initiate the Read instruction by executing an 8-bit command, 03H, followed by address bits A23:A0.
CE# must remain active low for the duration of the Read cycle. SIO2 and SIO3 must be driven V IH for
the duration of the Read cycle. See Figure 8 for Read Sequence.
CE#
MODE 3
0 1 2 3 4 5 6 7 8
15 16
23 24
31 32
39 40
47 48
55 56
63 64
70
SCK
MODE 0
SI
03
ADD.
ADD.
ADD.
SO
MSB
MSB
HIGH IMPEDANCE
N
D OUT
N+1
D OUT
N+2
D OUT
N+3
D OUT
N+4
D OUT
MSB
1359 F29.0
Note: SIO2 and SIO3 must be driven V IH
Figure 8: Read Sequence (SPI)
Enable Quad I/O (EQIO)
The Enable Quad I/O (EQIO) instruction, 38H, enables the flash device for SQI bus operation. upon
completion of the instruction, all instructions thereafter will be 4-bit multiplexed input/output until a
power cycle or a “Reset Quad I/O instruction” is executed. See Figure 9.
CE#
MODE 3
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SIO0
MODE 0
38
SIO[3:1]
1359 F43.0
Note: C[1:0] = 38H
Figure 9: Enable Quad I/O Sequence
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
14
DS-25017A
04/11
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| SST26VF016-80-5C-S2AE | 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 16Mbit Serial Quad I/O Flsh RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST26VF016-80-5I-QAE | 功能描述:闪存 16M 80MHz 2.7-3.6V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST26VF016-80-5I-QAE-T | 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 16Mbit Serial Quad I/O Flsh RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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