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参数资料
| 型号： | SST38VF6401-90-5I-B3KE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 14/64页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF 64MBIT 90NS 48TFBGA |
| 特色产品： | SST Serial and Parallel Flash Memory |
| 标准包装： | 480 |
| 系列： | SST38 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 64M（4M x 16） |
| 速度： | 90ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-TFBGA |
| 包装： | 托盘 |
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64 Mbit (x16) Advanced Multi-Purpose Flash Plus
A Microchip Technology Company
SST38VF6401 / SST38VF6402 / SST38VF6403 / SST38VF6404
Data Sheet
RY/BY#
The RY/BY# pin can be used to determine the status of a Program or Erase operation. The RY/BY# pin
is valid after the rising edge of the final WE# pulse in the command sequence. If RY/BY# = 0, then the
device is actively programming or erasing. If RY/BY# = 1, the device is in Read mode. The RY/BY# pin
is an open drain output pin. This means several RY/BY# can be tied together with a pull-up resistor to
V DD..
Table 4: Write Operation Status
Status
DQ 71
DQ 6
DQ 2 1
DQ 1
RY/BY# 2
Normal
Standard Program
DQ 7 #
Toggle
No Toggle 0
0
Operation
Erase-Suspend Mode
Standard Erase
Read from Erase-Suspended
0
1
Toggle
No toggle
Toggle
Toggle
N/A
N/A
0
1
Sector/Block
Read from Non- Erase-
Data
Data
Data
Data 1
Suspended Sector/Block
Program
DQ 7 #
Toggle
N/A
N/A
0
Program Buffer-to-Flash
Busy
Abort
DQ 7 # 3
DQ 7 # 3
Toggle
Toggle
N/A
N/A
0
1
0
0
T4.0 25015
1. DQ 7 and DQ 2 require a valid address when reading status information.
2. RY/BY# is an open drain pin. RY/BY# is high in Read mode, and Read in Erase-Suspend mode.
3. During a Program Buffer-to-Flash operation, the datum on the DQ 7 pin is the complement of DQ 7 of the last word
loaded in the Write-Buffer using the Write-to-Buffer command.
Data Protection
The SST38VF6401/6402/6403/6404 provide both hardware and software features to protect nonvolatile
data from inadvertent writes.
Hardware Data Protection
Noise/Glitch Protection: A WE# or CE# pulse of less than
5 ns will not initiate a write cycle.
V DD Power Up/Down Detection: The Write operation is inhibited when V DD is less than 1.5V.
Write Inhibit Mode: Forcing OE# low, CE# high, or WE# high will inhibit the Write operation. This pre-
vents inadvertent writes during power-up or power-down.
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
14
DS-25015A
04/11
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