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参数资料
| 型号： | SST39SF020A-70-4I-NHE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 12/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF 2MBIT 70NS 32PLCC |
| 特色产品： | SST Serial and Parallel Flash Memory |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 2M (256K x 8) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 32-PLCC |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1453 (CN2011-ZH PDF) |
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1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit Multi-Purpose Flash
A Microchip Technology Company
SST39SF010A / SST39SF020A / SST39SF040
Data Sheet
Table 7: DC Operating Characteristics V DD = 4.5-5.5V 1
Limits
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
Test Conditions
I DD
Power Supply Current
Address input=V ILT /V IHT , at f=1/T RC Min
V DD =V DD Max
Read 2
Program and Erase
25
35
mA
mA
CE#=V IL , OE#=WE#=V IH , all I/Os open
CE#=WE#=V IL , OE#=V IH
I SB1
Standby V DD Current
3
mA
CE#=V IH , V DD =V DD Max
(TTL input)
I SB2
Standby V DD Current
100
μA
CE#=V IHC , V DD =V DD Max
(CMOS input)
I LI
I LO
V IL
V IH
V IHC
V OL
V OH
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
Input High Voltage (CMOS)
Output Low Voltage
Output High Voltage
2.0
V DD -0.3
2.4
1
10
0.8
0.4
μA
μA
V
V
V
V
V
V IN =GND to V DD , V DD =V DD Max
V OUT =GND to V DD , V DD =V DD Max
V DD =V DD Min
V DD =V DD Max
V DD =V DD Max
I OL =2.1 mA, V DD =V DD Min
I OH =-400 μA, V DD =V DD Min
T7.10 25022
1. Typical conditions for the Active Current shown on the front data sheet page are average values at 25°C
(room temperature), and V DD = 5V for SF devices. Not 100% tested.
2. Values are for 70 ns conditions. See the Dat Shea t e S
Table 8: Recommended System Power-up Timings
application note for further information.
Symbol
T PU-READ1
Parameter
Power-up to Read Operation
Minimum
100
Units
μs
T PU-WRITE
1
Power-up to Program/Erase Operation
100
μs
T8.1 25022
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
Table 9: Capacitance (Ta = 25°C, f=1 Mhz, other pins open)
Parameter
Description
Test Condition
Maximum
C I/O
1
I/O Pin Capacitance
V I/O = 0V
12 pF
C IN1
Input Capacitance
V IN = 0V
6 pF
T9.0 25022
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
Table 10: Reliability Characteristics
Symbol
Parameter
Minimum Specification
Units
Test Method
N END
T DR1
I LTH1
1,2
Endurance
Data Retention
Latch Up
10,000
100
100 + I DD
Cycles
Years
mA
JEDEC Standard A117
JEDEC Standard A103
JEDEC Standard 78
T10.2 25022
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
2. N END endurance rating is qualified as a 10,000 cycle minimum for the whole device. A sector- or block-level rating would
result in a higher minimum specification.
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
12
DS25022A
07/11
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