- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4390 > SST39VF010-70-4I-B3KE (Microchip Technology)IC FLASH MPF 1MBIT 70NS 48TFBGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SST39VF010-70-4I-B3KE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 14/31页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF 1MBIT 70NS 48TFBGA |
| 特色产品： | SST Serial and Parallel Flash Memory |
| 标准包装： | 480 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-TFBGA |
| 包装： | 托盘 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页当前第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页
1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit Multi-Purpose Flash
SST39LF010 / SST39LF020 / SST39LF040
A Microchip Technology Company
SST39VF010 / SST39VF020 / SST39VF040
Data Sheet
AC Characteristics
Table 12: Read Cycle Timing Parameters - V DD = 3.0-3.6V for SST39LF010/020/040 and
2.7-3.6V for SST39VF010/020/040
SST39LF010-45
SST39VF010-70
SST39LF020-45
SST39LF040-45
SST39LF020-55
SST39LF040-55
SST39VF020-70
SST39VF040-70
Symbol
Parameter
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Units
T RC
T CE
T AA
T OE
T CLZ1
T OLZ1
T CHZ1
Read Cycle Time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
CE# Low to Active Output
OE# Low to Active Output
CE# High to High-Z Output
45
0
0
45
45
30
15
55
0
0
55
55
30
15
70
0
0
70
70
35
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T OHZ
1
OE# High to High-Z Output
15
15
25
ns
T OH1
Output Hold from Address Change
0
0
0
ns
T12.2 25023
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
Table 13: Program/Erase Cycle Timing Parameters
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
T BP
T AS
T AH
T CS
T CH
T OES
T OEH
T CP
T WP
T WPH1
T CPH1
T DS
T DH1
T IDA1
T SE
T SCE
Byte-Program Time
Address Setup Time
Address Hold Time
WE# and CE# Setup Time
WE# and CE# Hold Time
OE# High Setup Time
OE# High Hold Time
CE# Pulse Width
WE# Pulse Width
WE# Pulse Width High
CE# Pulse Width High
Data Setup Time
Data Hold Time
Software ID Access and Exit Time
Sector-Erase
Chip-Erase
0
30
0
0
0
10
40
40
30
30
40
0
20
150
25
100
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
T13.1 25023
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
14
DS25023A
08/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST39VF200A-70-4C-EKE | IC FLASH MPF 2MBIT 70NS 48TSOP |
| AMC35DRTI | CONN EDGECARD 70POS .100 DIP SLD |
| AMC35DREI | CONN EDGECARD 70POS .100 EYELET |
| AMC25DRAN | CONN EDGECARD 50POS .100 R/A DIP |
| AMC25DRAH | CONN EDGECARD 50POS .100 R/A DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST39VF010-70-4I-NH | 功能描述:闪存 128K X 8 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF010-70-4I-NHE | 功能描述:闪存 128K X 8 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF010-70-4I-NHE-T | 功能描述:闪存 1M (128Kx8) 70ns 2.7-3.6V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF010-70-4I-NHE-T_ | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述: |
| SST39VF010-70-4I-WH | 功能描述:闪存 128K X 8 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。