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参数资料
| 型号： | SST39VF010-70-4I-B3KE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 16/31页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF 1MBIT 70NS 48TFBGA |
| 特色产品： | SST Serial and Parallel Flash Memory |
| 标准包装： | 480 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-TFBGA |
| 包装： | 托盘 |
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1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit Multi-Purpose Flash
SST39LF010 / SST39LF020 / SST39LF040
A Microchip Technology Company
SST39VF010 / SST39VF020 / SST39VF040
Data Sheet
INTERNAL PROGRAM OPERATION STARTS
T BP
ADDRESS A MS-0
5555
2AAA
5555
ADDR
CE#
T AH
T CP
T DH
T AS
T CPH
T DS
OE#
T CH
WE#
T CS
DQ 7-0
AA
SW0
55
SW1
A0
SW2
DATA
BYTE
Note:
A MS = Most significant address
(ADDR/DATA)
1150 F05.0
A MS = A 16 for SST39LF/VF010, A 17 for SST39LF/VF020 and A 18 for SST39LF/VF040
Figure 8: CE# Controlled Program Cycle Timing Diagram
ADDRESS A MS-0
T CE
CE#
OE#
WE#
TOEH
TOE
TOES
DQ 7
D
D#
D#
D
Note:
A MS = Most significant address
1150 F06.0
A MS = A 16 for SST39LF/VF010, A 17 for SST39LF/VF020 and A 18 for SST39LF/VF040
Figure 9: Data# Polling Timing Diagram
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
16
DS25023A
08/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST39VF200A-70-4C-EKE | IC FLASH MPF 2MBIT 70NS 48TSOP |
| AMC35DRTI | CONN EDGECARD 70POS .100 DIP SLD |
| AMC35DREI | CONN EDGECARD 70POS .100 EYELET |
| AMC25DRAN | CONN EDGECARD 50POS .100 R/A DIP |
| AMC25DRAH | CONN EDGECARD 50POS .100 R/A DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST39VF010-70-4I-NH | 功能描述:闪存 128K X 8 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF010-70-4I-NHE | 功能描述:闪存 128K X 8 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF010-70-4I-NHE-T | 功能描述:闪存 1M (128Kx8) 70ns 2.7-3.6V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF010-70-4I-NHE-T_ | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述: |
| SST39VF010-70-4I-WH | 功能描述:闪存 128K X 8 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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