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参数资料
| 型号： | SST39VF010-70-4I-B3KE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 23/31页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF 1MBIT 70NS 48TFBGA |
| 特色产品： | SST Serial and Parallel Flash Memory |
| 标准包装： | 480 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-TFBGA |
| 包装： | 托盘 |
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1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit Multi-Purpose Flash
SST39LF010 / SST39LF020 / SST39LF040
A Microchip Technology Company
SST39VF010 / SST39VF020 / SST39VF040
Data Sheet
Chip-Erase
Command Sequence
Load data: AAH
Address: 5555H
Load data: 55H
Address: 2AAAH
Load data: 80H
Address: 5555H
Load data: AAH
Address: 5555H
Load data: 55H
Address: 2AAAH
Load data: 10H
Address: 5555H
Wait TSCE
Chip erased
to FFH
Sector-Erase
Command Sequence
Load data: AAH
Address: 5555H
Load data: 55H
Address: 2AAAH
Load data: 80H
Address: 5555H
Load data: AAH
Address: 5555H
Load data: 55H
Address: 2AAAH
Load data: 30H
Address: SAX
Wait TSE
Sector erased
to FFH
1150 F16.1
Figure 20: Erase Command Sequence
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
23
DS25023A
08/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST39VF200A-70-4C-EKE | IC FLASH MPF 2MBIT 70NS 48TSOP |
| AMC35DRTI | CONN EDGECARD 70POS .100 DIP SLD |
| AMC35DREI | CONN EDGECARD 70POS .100 EYELET |
| AMC25DRAN | CONN EDGECARD 50POS .100 R/A DIP |
| AMC25DRAH | CONN EDGECARD 50POS .100 R/A DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST39VF010-70-4I-NH | 功能描述:闪存 128K X 8 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF010-70-4I-NHE | 功能描述:闪存 128K X 8 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF010-70-4I-NHE-T | 功能描述:闪存 1M (128Kx8) 70ns 2.7-3.6V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF010-70-4I-NHE-T_ | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述: |
| SST39VF010-70-4I-WH | 功能描述:闪存 128K X 8 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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