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参数资料
| 型号： | SST39VF1602C-70-4C-EKE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 8/33页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF 16MBIT 70NS 48TSOP |
| 标准包装： | 96 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 16M (1M x 16) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 48-TSOP |
| 包装： | 托盘 |
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16 Mbit Multi-Purpose Flash Plus
SST39VF1601C / SST39VF1602C
Data Sheet
TABLE 4: Pin Description
Symbol
A MS1 -A 0
DQ 15 -DQ 0
WP#
RST#
CE#
OE#
WE#
V DD
V SS
NC
RY/BY#
Pin Name
Address Inputs
Data Input/output
Write Protect
Reset
Chip Enable
Output Enable
Write Enable
Power Supply
Ground
No Connection
Ready/Busy#
Functions
To provide memory addresses.
During Sector-Erase A MS -A 11 address lines will select the sector.
During Block-Erase A MS -A 15 address lines will select the block.
To output data during Read cycles and receive input data during Write cycles.
Data is internally latched during a Write cycle.
The outputs are in tri-state when OE# or CE# is high.
To protect the top/bottom boot block from Erase/Program operation when grounded.
To reset and return the device to Read mode.
To activate the device when CE# is low.
To gate the data output buffers.
To control the Write operations.
To provide power supply voltage: 2.7-3.6V
Unconnected pins.
To output the status of a Program or Erase operation
RY/BY# is a open drain output, so a 10K Ω - 100K Ω pull-up resistor is required
to allow RY/BY# to transition high indicating the device is ready to read.
T4.2 1380
1. A MS = Most significant address
A MS = A 19
?2010 Silicon Storage Technology, Inc.
8
S71380-04-000
05/10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST39LF800A-55-4C-B3KE-T | IC FLASH MPF 8MBIT 55NS 48TFBGA |
| XCV300E-6FG256I | IC FPGA 1.8V I-TEMP 256-FBGA |
| XCV200E-8PQ240C | IC FPGA 1.8V C-TEMP 240-PQFP |
| SST39WF400B-70-4I-MAQE | IC FLASH MPF 4MBIT 70NS 48WFBGA |
| XC2V1000-4FGG256I | IC FPGA VIRTEX-II 2M 256-FBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST39VF1602C-70-4C-MAQE | 功能描述:闪存 2.7V to 3.6V 16Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF1602C-70-4I-B3KE | 功能描述:闪存 16M (1Mx16) 70ns Industrial Temp RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF1602C-70-4I-B3KE-T | 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 16Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF1602C-70-4I-EKE | 功能描述:闪存 16M (1Mx16) 70ns Industrial Temp RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF1602C-70-4I-MAQE | 功能描述:闪存 2.7V to 3.6V 16Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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