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参数资料
| 型号： | SST39VF3202B-70-4I-EKE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 12/29页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF 32MBIT 70NS 48TSOP |
| 特色产品： | SST Serial and Parallel Flash Memory |
| 标准包装： | 96 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 32M（2M x 16） |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 48-TSOP |
| 包装： | 管件 |
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32 Mbit Multi-Purpose Flash Plus
SST39VF3201B / SST39VF3202B
Data Sheet
TABLE 10: DC Operating Characteristics V DD = 2.7-3.6V 1
Limits
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
Test Conditions
I DD
Power Supply Current
Address input=V ILT /V IHT2 , at f=5 MHz,
V DD =V DD Max
Read 3
Program and Erase
15
45
mA
mA
CE#=V IL , OE#=WE#=V IH , all I/Os open
CE#=WE#=V IL , OE#=V IH
I SB
I ALP
Standby V DD Current
Auto Low Power
20
20
μA
μA
CE#=V IHC , V DD =V DD Max
CE#=V ILC , V DD =V DD Max
All inputs=V SS or V DD, WE#=V IHC
I LI
I LIW
Input Leakage Current
Input Leakage Current
1
10
μA
μA
V IN =GND to V DD , V DD =V DD Max
WP#=GND to V DD or RST#=GND to V DD
on WP# pin and RST#
I LO
V IL
V ILC
V IH
V IHC
V OL
V OH
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input Low Voltage (CMOS)
Input High Voltage
Input High Voltage (CMOS)
Output Low Voltage
Output High Voltage
0.7V DD
V DD -0.3
V DD -0.2
1
0.8
0.3
0.2
μA
V
V
V
V
V
V
V OUT =GND to V DD , V DD =V DD Max
V DD =V DD Min
V DD =V DD Max
V DD =V DD Max
V DD =V DD Max
I OL =100 μA, V DD =V DD Min
I OH =-100 μA, V DD =V DD Min
T10.0 1384
1. Typical conditions for the Active Current shown on the front page of the data sheet are average values at 25°C
(room temperature), and V DD = 3V. Not 100% tested.
2. See Figure 19
3. The I DD current listed is typically less than 2mA/MHz, with OE# at V IH. Typical V DD is 3V.
TABLE 11: Recommended System Power-up Timings
Symbol
T PU-READ1
Parameter
Power-up to Read Operation
Minimum
100
Units
μs
T PU-WRITE
1
Power-up to Program/Erase Operation
100
μs
T11.0 1384
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
TABLE 12: Capacitance (TA = 25°C, f=1 Mhz, other pins open)
Parameter
C I/O1
Description
I/O Pin Capacitance
Test Condition
V I/O = 0V
Maximum
10 pF
C IN
1
Input Capacitance
V IN = 0V
10 pF
T12.0 1384
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
TABLE 13: Reliability Characteristics
Symbol
Parameter
Minimum Specification
Units
Test Method
N END
T DR1
I LTH1
1,2
Endurance
Data Retention
Latch Up
10,000
100
100 + I DD
Cycles
Years
mA
JEDEC Standard A117
JEDEC Standard A103
JEDEC Standard 78
T13.0 1384
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
2. N END endurance rating is qualified as a 10,000 cycle minimum for the whole device. A sector- or block-level rating would result in a
higher minimum specification.
?2009 Silicon Storage Technology, Inc.
12
S71384-01-000
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参数描述 |
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| SST39VF320-70-4C-B3K | 功能描述:闪存 2M X 16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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