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参数资料
| 型号： | SST39VF3202C-70-4I-EKE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 18/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF+ 32MBIT 48-TSOP |
| 标准包装： | 96 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 32M（2M x 16） |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 48-TSOP（12x20） |
| 包装： | 托盘 |
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32 Mbit Multi-Purpose Flash Plus
A Microchip Technology Company
SST39VF3201C / SST39VF3202C
Preliminary Specifications
Power Up Specifications
All functionalities and DC specifications are specified for a V DD ramp rate of greater than 1V per 100
ms (0V to 3V in less than 300 ms). If the VDD ramp rate is slower than 1V per 100 ms, a hardware
reset is required. The recommended V DD power-up to RESET# high time should be greater than 100
μs to ensure a proper reset.
T PU-READ 10 0 μs
V DD
RESET#
0V
V DD min
V IH
T RHR 50 ns
CE#
1410 F24.0
Figure 4: Power-Up Diagram
Table 13: DC Operating Characteristics V DD = 2.7-3.6V 1
Limits
Symbol Parameter
I DD
Power Supply Current
Min
Max
Units
Test Conditions
Address input=V ILT /V IHT2 , at f=5 MHz,
V DD =V DD Max
Read 3
Program and Erase
15
45
mA
mA
CE#=V IL , OE#=WE#=V IH , all I/Os open
CE#=WE#=V IL , OE#=V IH
I SB
I ALP
Standby V DD Current
Auto Low Power
50
50
μA
μA
CE#=V IHC , V DD =V DD Max
CE#=V ILC , V DD =V DD Max
All inputs=V SS or V DD, WE#=V IHC
I LI
I LIW
Input Leakage Current
Input Leakage Current
1
10
μA
μA
V IN =GND to V DD , V DD =V DD Max
WP#=GND to V DD or RST#=GND to V DD
on WP# pin and RST#
I LO
V IL
V ILC
V IH
V IHC
V OL
V OH
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input Low Voltage (CMOS)
Input High Voltage 0.7V DD
Input High Voltage (CMOS) V DD -0.3
Output Low Voltage
Output High Voltage V DD -0.2
1
0.8
0.3
0.2
μA
V
V
V
V
V
V
V OUT =GND to V DD , V DD =V DD Max
V DD =V DD Min
V DD =V DD Max
V DD =V DD Max
V DD =V DD Max
I OL =100 μA, V DD =V DD Min
I OH =-100 μA, V DD =V DD Min
T13.0 25020
1. Typical conditions for the Active Current shown on the front page of the data sheet are average values at 25°C
(room temperature), and V DD = 3V. Not 100% tested.
2. See Figure 19
3. The I DD current listed is typically less than 2mA/MHz, with OE# at V IH. Typical V DD is 3V.
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
18
DS25020A
06/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HMM44DSEF-S13 | CONN EDGECARD 88POS .156 EXTEND |
| SST39VF3201C-70-4I-EKE | IC FLASH MPF+ 32MBIT 48-TSOP |
| SST39VF3201-70-4I-EKE | IC FLASH MPF 32MBIT 70NS 48TSOP |
| 24LC1026-I/P | IC EEPROM 1024KB 400KHZ 8-DIP |
| 24AA1026-I/P | IC EEPROM 1024KB 400KHZ 8-DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST39VF3202C-70-4I-EKE-T | 功能描述:闪存 2.7V to 3.6V 32Mbit Multi-Prps Fl RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF320-70-4C-B3K | 功能描述:闪存 2M X 16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF320-70-4C-B3KE | 功能描述:闪存 2M X 16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF320-70-4C-EK | 功能描述:闪存 2M X 16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF320-70-4C-EKE | 功能描述:闪存 2M X 16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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