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参数资料
| 型号： | SST39VF3202C-70-4I-EKE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 20/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF+ 32MBIT 48-TSOP |
| 标准包装： | 96 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 32M（2M x 16） |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 48-TSOP（12x20） |
| 包装： | 托盘 |
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32 Mbit Multi-Purpose Flash Plus
A Microchip Technology Company
SST39VF3201C / SST39VF3202C
Preliminary Specifications
AC Characteristics
Table 17: Read Cycle Timing Parameters V DD = 2.7-3.6V
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
T RC
T CE
T AA
T OE
Read Cycle Time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
70
70
70
35
ns
ns
ns
ns
T CLZ
1
CE# Low to Active Output
0
ns
T OLZ1
T CHZ1
T OHZ1
OE# Low to Active Output
CE# High to High-Z Output
OE# High to High-Z Output
0
16
16
ns
ns
ns
T OH
1
Output Hold from Address Change
0
ns
T RP1
T RHR1
T RY1,2
RST# Pulse Width
RST# High before Read
RST# Pin Low to Read Mode
500
50
20
ns
ns
μs
T17.0 25020
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
2. This parameter applies to Sector-Erase, Block-Erase, and Program operations.
This parameter does not apply to Chip-Erase operations.
Table 18: Program/Erase Cycle Timing Parameters
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
T BP
T AS
T AH
T CS
T CH
T OES
T OEH
T CP
T WP
T WPH1
T CPH1
T DS
T DH1
T IDA1
T SE
T BE
T SCE
T BY1,2
T BR1
Word-Program Time
Address Setup Time
Address Hold Time
WE# and CE# Setup Time
WE# and CE# Hold Time
OE# High Setup Time
OE# High Hold Time
CE# Pulse Width
WE# Pulse Width
WE# Pulse Width High
CE# Pulse Width High
Data Setup Time
Data Hold Time
Software ID Access and Exit Time
Sector-Erase
Block-Erase
Chip-Erase
RY/BY# Delay Time
Bus Recovery Time
0
30
0
0
0
10
40
40
30
30
30
0
90
10
150
25
25
50
0
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
ns
μs
T18.0 25020
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
2. This parameter applies to Sector-Erase, Block-Erase, and Program operations.
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
20
DS25020A
06/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HMM44DSEF-S13 | CONN EDGECARD 88POS .156 EXTEND |
| SST39VF3201C-70-4I-EKE | IC FLASH MPF+ 32MBIT 48-TSOP |
| SST39VF3201-70-4I-EKE | IC FLASH MPF 32MBIT 70NS 48TSOP |
| 24LC1026-I/P | IC EEPROM 1024KB 400KHZ 8-DIP |
| 24AA1026-I/P | IC EEPROM 1024KB 400KHZ 8-DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST39VF3202C-70-4I-EKE-T | 功能描述:闪存 2.7V to 3.6V 32Mbit Multi-Prps Fl RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF320-70-4C-B3K | 功能描述:闪存 2M X 16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF320-70-4C-B3KE | 功能描述:闪存 2M X 16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF320-70-4C-EK | 功能描述:闪存 2M X 16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF320-70-4C-EKE | 功能描述:闪存 2M X 16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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