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参数资料
型号： SST39VF400A-70-4I-MAQE
厂商： Microchip Technology
文件页数： 1/37页
文件大小： 0K
描述： IC FLASH MPF 4MBIT 70NS 48-WFBGA
特色产品： SST Serial and Parallel Flash Memory
标准包装： 740
系列： SST39 MPF™
格式 - 存储器： 闪存
存储器类型： FLASH
存储容量： 4M (256K x 16)
速度： 70ns
接口： 并联
电源电压： 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 48-WFBGA
供应商设备封装： 48-WFBGA（6x4）
包装： 托盘
2 Mbit / 4 Mbit / 8 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash
SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A
A Microchip Technology Company
SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A
Data Sheet
The SST39LF200A/400A/800A and SST39VF200A/400A/800A devices are 128K
x16 / 256K x16 / 512K x16 CMOS Multi-Purpose Flash (MPF) manufactured with
SST proprietary, high-performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate
cell design and thick oxide tunneling injector attain better reliability and manufac-
turability compared with alternate approaches. The SST39LF200A/400A/800A
write (Program or Erase) with a 3.0-3.6V power supply. The SST39VF200A/400A/
800A write (Program or Erase) with a 2.7-3.6V power supply. These devices con-
form to JEDEC standard pinouts for x16 memories.
Features:
? Organized as 128K x16 / 256K x16 / 512K x16
? Single Voltage Read and Write Operations
– 3.0-3.6V for SST39LF200A/400A/800A
– 2.7-3.6V for SST39VF200A/400A/800A
? Superior Reliability
– Endurance: 100,000 Cycles (typical)
– Greater than 100 years Data Retention
? Low Power Consumption
(typical values at 14 MHz)
– Active Current: 9 mA (typical)
– Standby Current: 3 μA (typical)
? Sector-Erase Capability
– Uniform 2 KWord sectors
? Block-Erase Capability
– Uniform 32 KWord blocks
? Fast Read Access Time
– 55 ns for SST39LF200A/400A/800A
– 70 ns for SST39VF200A/400A/800A
? Latched Address and Data
? Fast Erase and Word-Program
– Sector-Erase Time: 18 ms (typical)
– Block-Erase Time: 18 ms (typical)
– Chip-Erase Time: 70 ms (typical)
– Word-Program Time: 14 μs (typical)
– Chip Rewrite Time:
2 seconds (typical) for SST39LF/VF200A
4 seconds (typical) for SST39LF/VF400A
8 seconds (typical) for SST39LF/VF800A
? Automatic Write Timing
– Internal V PP Generation
? End-of-Write Detection
– Toggle Bit
– Data# Polling
? CMOS I/O Compatibility
? JEDEC Standard
– Flash EEPROM Pinouts and command sets
? Packages Available
– 48-lead TSOP (12mm x 20mm)
– 48-ball TFBGA (6mm x 8mm)
– 48-ball WFBGA (4mm x 6mm)
– 48-bump XFLGA (4mm x 6mm) – 4 and 8Mbit
? All non-Pb (lead-free) devices are RoHS compliant
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
www.microchip.com
DS25001A
03/11
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PDF描述
SST39VF1602-70-4I-EKE IC FLASH MPF 16MBIT 70NS 48TSOP
25LC256-I/MF IC EEPROM 256KBIT 10MHZ 8DFN
24FC512-I/ST IC EEPROM 512KBIT 1MHZ 8TSSOP
25LC512-I/MF IC EEPROM 512KBIT 20MHZ 8DFN
SST39VF1601-70-4I-EKE IC FLASH MPF 16MBIT 70NS 48TSOP
相关代理商/技术参数
参数描述
SST39VF400A-70-4I-MAQE-T 功能描述:闪存 2.7V to 3.6V 4Mbit Multi-Prps Fl RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
SST39VF400A-90-4C-B3K 功能描述:闪存 R 804-39VF400A7CB3KE RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
SST39VF400A-90-4C-EK 功能描述:闪存 R 804-39VF400A7CEKE RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
SST39VF401C-70-4C-B3KE 功能描述:闪存 2.7V to 3.6V 4Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
SST39VF401C-70-4C-B3KE-T 功能描述:闪存 2.7V to 3.6V 4Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
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