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参数资料
| 型号： | SST39VF400A-70-4I-MAQE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 15/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF 4MBIT 70NS 48-WFBGA |
| 特色产品： | SST Serial and Parallel Flash Memory |
| 标准包装： | 740 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 4M (256K x 16) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-WFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-WFBGA（6x4） |
| 包装： | 托盘 |
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2 Mbit / 4 Mbit / 8 Mbit Multi-Purpose Flash
SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A
A Microchip Technology Company
SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A
Data Sheet
Table 11: DC Operating Characteristics –V DD = 3.0-3.6V for SST39LF200A/400A/800A and
2.7-3.6V for SST39VF200A/400A/800A 1
Limits
Symbol Parameter
Power Supply Current
I DD
Min
Max
Units
Test Conditions
Address input=V ILT /V IHT, at f=1/T RC
Min, V DD =V DD Max
Read 2
30
mA
CE#=V IL , OE#=WE#=V IH , all I/Os
open
Program and Erase
30
mA
CE#=WE#=V IL , OE#=V IH
I SB
I LI
I LO
V IL
V IH
V IHC
V OL
V OH
Standby V DD Current
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
Input High Voltage (CMOS)
Output Low Voltage
Output High Voltage
0.7V DD
V DD -0.3
V DD -0.2
20
1
10
0.8
0.2
μA
μA
μA
V
V
V
V
CE#=V IHC , V DD =V DD Max
V IN =GND to V DD , V DD =V DD Max
V OUT =GND to V DD , V DD =V DD Max
V DD =V DD Min
V DD =V DD Max
V DD =V DD Max
I OL =100 μA, V DD =V DD Min
I OH =-100 μA, V DD =V DD Min
T11.7 25001
1. Typical conditions for the Active Current shown on page 1 are average values at 25°C (room temperature),
and V DD = 3V for VF devices. Not 100% tested.
2. Values are for 70 ns conditions. See the Multi-Purpose Flash Power Rating application note for further information.
Table 12: Recommended System Power-up Timings
Symbol
T PU-READ1
T PU-WRITE1
Parameter
Power-up to Read Operation
Power-up to Program/Erase Operation
Minimum
100
100
Units
μs
μs
T12.0 25001
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
Table 13: Capacitance (T A = 25°C, f=1 Mhz, other pins open)
Parameter Description
Test Condition
Maximum
C I/O1
I/O Pin Capacitance
V I/O = 0V
12 pF
C IN
1
Input Capacitance
V IN = 0V
6 pF
T13.0 25001
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
Table 14: Reliability Characteristics
Symbol
N END1,2
T DR1
I LTH1
Parameter
Endurance
Data Retention
Latch Up
Minimum Specification
10,000
100
100 + I DD
Units
Cycles
Years
mA
Test Method
JEDEC Standard A117
JEDEC Standard A103
JEDEC Standard 78
T14.2 25001
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
2. N END endurance rating is qualified as a 10,000 cycle minimum for the whole device. A sector- or block-level rating would
result in a higher minimum specification.
? 2011 Silicon Storage Technology, Inc.
15
DS25001A
03/11
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SST39VF400A-90-4C-EK | 功能描述:闪存 R 804-39VF400A7CEKE RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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