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参数资料
| 型号： | SST39VF6402B-70-4I-B1KE-T |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 21/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH MPF 64MBIT 70NS 48TFBGA |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 64M（4M x 16） |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-TFBGA |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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64 Mbit Multi-Purpose Flash Plus
A Microchip Technology Company
ADDRESS A MS-0
CE#
T CE
SST39VF6401B / SST39VF6402B
Not Recommended for New Designs
T OEH
T OE
T OES
OE#
WE#
DQ 6 and DQ 2
TWO READ CYCLES
Note: A MS = Most significant address
A MS = A 21 for SST39VF640xB
Figure 7: Toggle Bits Timing Diagram
SIX-BYTE CODE FOR CHIP-ERASE
WITH SAME OUTPUTS
T SCE
1288 F07.0
ADDRESS A MS-0
555
2AA
555
555
2AA
555
CE#
OE#
T WP
WE#
DQ 15-0
XXAA
SW0
XX55
SW1
XX80
SW2
XXAA
SW3
XX55
SW4
XX10
SW5
1288 F08.0
Note: This device also supports CE# controlled Chip-Erase operation The WE# and CE# signals are
interchangeable as long as minimum timings are met. (See Table 17)
A MS = Most significant address
A MS = A 21 for SST39VF640xB
WP# must be held in proper logic state (V IL or V IH ) 1 μs prior to and 1 μs after the command sequence.
X can be V IL or V IH, but no other value.
Figure 8: WE# Controlled Chip-Erase Timing Diagram
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
21
DS25008A
08/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P51-1000-A-F-P-4.5V-000-000 | SENSOR 1000PSI 1/4-18NPT .5-4.5V |
| REC5-2409DRW/H2/A/M/SMD/CTRL-R | CONV DC/DC 5W 18-36VIN +/-09VOUT |
| P51-300-A-A-P-4.5OVP-000-000 | SENSOR 300PSI 1/4-18NPT .5-4.5V |
| P51-1000-S-R-M12-20MA-000-000 | SENSOR 1000PSIS M12 4-20 MA |
| FAD1-08025CBJW11 | FAN 80X25MM 12VDC BALL WIRE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST39VF6402B-70-4I-EKE | 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 64Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF800-90-4C-EK | 制造商:SILICON STORAGE TECH 功能描述: 制造商:Silicon Storage Technology (SST) 功能描述: |
| SST39VF800A-70-4A-B3KE | 功能描述:闪存 8M (512Kx16) 70ns Automotive Temp RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF800A-70-4A-EKE | 功能描述:闪存 8M (512Kx16) 70ns Automotive Temp RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF800A-70-4C-B3K | 功能描述:闪存 512K X 16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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