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参数资料
| 型号： | SST39VF801C-70-4C-MAQE-T |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 13/38页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MPF FLASH 8MBIT CMOS 48WFBGA |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | SST39 MPF™ |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 8M（512K x 16） |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 48-WFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-WFBGA（6x4） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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8 Mbit (x16) Multi-Purpose Flash Plus
A Microchip Technology Company
SST39VF801C / SST39VF802C / SST39LF801C / SST39LF802C
Data Sheet
Operations
Table 6: Operation Modes Selection
Mode
Read
Program
Erase
CE#
V IL
V IL
V IL
OE#
V IL
V IH
V IH
WE#
V IH
V IL
V IL
DQ
D OUT
D IN
X 1
Address
A IN
A IN
Sector or block address, XXH for Chip-
Erase
Standby
Write Inhibit
V IH
X
X
X
V IL
X
X
X
V IH
High Z
High Z/ D OUT
High Z/ D OUT
X
X
X
Product Identification
Software Mode
V IL
V IL
V IH
See Table 7
T6.0 25041
1. X can be V IL or V IH , but no other value.
Table 7: Software Command Sequence
Command
Sequence
1st Bus
Write Cycle
2nd Bus
Write Cycle
3rd Bus
Write Cycle
4th Bus
Write Cycle
5th Bus
Write Cycle
6th Bus
Write Cycle
Addr 1
Data 2
Addr 1
Data 2 Addr 1 Data 2 Addr 1
Data 2
Addr 1
Data 2 Addr 1 Data 2
Word-Program
555H
AAH
2AAH
55H
555H
A0H
WA 3
Data
Sector-Erase
555H
AAH
2AAH
55H
555H
80H
555H
AAH
2AAH
55H
SA X4
50H
Block-Erase
555H
AAH
2AAH
55H
555H
80H
555H
AAH
2AAH
55H
BA X
4
30H
Chip-Erase
555H
AAH
2AAH
55H
555H
80H
555H
AAH
2AAH
55H
555H
10H
Erase-Suspend
Erase-Resume
XXXH
XXXH
B0H
30H
Query Sec
ID 5
555H
AAH
2AAH
55H
555H
88H
User Security ID
555H
AAH
2AAH
55H
555H
A5H
WA 6
Data
Word-Program
User Security ID
555H
AAH
2AAH
55H
555H
85H
XXH 6
0000
Program Lock-
Out
H
Software ID
Entry 7,8
CFI Query Entry
555H
555H
AAH
AAH
2AAH
2AAH
55H
55H
555H
555H
90H
98H
CFI Query Entry
55H
98H
Software ID Exit 9,10
555H
AAH
2AAH
55H
555H
F0H
/CFI Exit/Sec ID
Exit
Software ID Exit 9,10
XXH
F0H
/CFI Exit/Sec ID
Exit
T7.6 25041
1.
2.
3.
4.
Address format A 10 -A 0 (Hex). Addresses A 11 -A 18 can be V IL or V IH , but no other value, for Command sequence.
DQ 15 -DQ 8 can be V IL or V IH , but no other value, for Command sequence
WA = Program Word address
SA X for Sector-Erase; uses A MS -A 11 address lines
BA X , for Block-Erase; uses A MS -A 15 address lines
A MS = Most significant address; A MS = A 18
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
13
DS25041A
05/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST39SF040-70-4C-WHE-T | IC FLASH MPF 4MBIT 70NS 32TSOP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST39VF801C-70-4I-B3KE | 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF801C-70-4I-B3KE-T | 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF801C-70-4I-EKE | 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST39VF801C-70-4I-EKE-T | 功能描述:闪存 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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