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参数资料
| 型号： | SST49LF016C-33-4C-EIE |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 15/43页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH SER LPC 16MBIT 40TSOP |
| 特色产品： | SST Serial and Parallel Flash Memory |
| 标准包装： | 120 |
| 系列： | SST49 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 16M（2M x 8） |
| 速度： | 33MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 40-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 40-TSOP |
| 包装： | 托盘 |
| 产品目录页面： | 1453 (CN2011-ZH PDF) |
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16 Mbit LPC Serial Flash
A Microchip Technology Company
SST49LF016C
Data Sheet
Non-boundary-aligned address:
The SST49LF016C accepts multi-byte transfers for both Read and Write operations. The device
address space is divided into uniform page sizes 2, 4, 16, or 128 bytes wide, according to the MSIZE
value (see Table 6). The host issues only one address in the MADDR field of the Firmware Memory
Cycle, but multiple bytes are read from or written to the device. For this reason the MADDR address
should be page boundary-aligned. This means the address should be aligned to a Word boundary (A 0
= 0) for a 2-byte transfer, a double Word boundary (e.g. A 0 = 0, A 1 = 0) for a 4-byte transfer, and so on.
If the address supplied by the host is not page boundary-aligned, the SST49LF016C will force a
boundary alignment, starting the multi-byte Read or Write operation from the lower byte of the
addressed page.
Multiple Device Selection
Multiple LPC serial flash devices may be strapped to increase memory densities in a system. The four
ID pins, ID[3:0], allow up to 16 devices to be attached to the same bus by using different ID strapping in
a system. BIOS support, bus loading, or the attaching bridge may limit this number. The boot device
must have an ID of 0000b (determined by ID[3:0]); subsequent devices use incremental numbering.
Equal density must be used with multiple devices.
Multiple Device Selection for Firmware Memory Cycle
For Firmware Memory Read/Write cycles, hardware strapping values on ID[3:0] must match the values
in IDSEL field. The SST49LF016C will compare these bits with ID[3:0]’s strapping values. If there is a
mismatch, the device will ignore the remainder of the cycle. See Table 7 for Multiple Device Selection
Configuration.
Table 7: Firmware Memory Multiple Device Selection Configuration
Device #
0 (Boot device)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
ID[3:0]
0000
0001
0010
0011
0100
0101
0110
0111
1000
1001
1010
1011
1100
1101
1110
1111
IDSEL
0000
0001
0010
0011
0100
0101
0110
0111
1000
1001
1010
1011
1100
1101
1110
1111
T7.0 25029
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
15
DS25029A
06/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST49LF016C-33-4C-NHE | IC FLASH SER LPC 16MBIT 32PLCC |
| SST25VF016B-50-4I-QAF | IC FLASH SER 16M 50MHZ SPI 8WSON |
| ACC43DRYS-S734 | CONN EDGECARD 86POS DIP .100 SLD |
| RBB106DHBS-S621 | EDGECARD 212POS DIP R/A .050 SLD |
| FMC20DRYI | CONN EDGECARD 40POS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST49LF016C-33-4C-EIE-T | 功能描述:闪存 3.0 to 3.6V 16Mbit LPC Firmware 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST49LF016C-33-4C-NHE | 功能描述:闪存 16M (2Mx8) 33MHz 3.0-3.6V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST49LF016C-33-4C-NHE-T | 功能描述:闪存 3.0 to 3.6V 16Mbit LPC Firmware 闪存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST49LF016C-33-4C-WHE | 功能描述:闪存 16M (2Mx8) 33MHz 3.0-3.6V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST49LF016C-33-4C-WHE_ | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述: |
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